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1. (WO2014007680) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR STRUCTURÉ EN TROIS DIMENSIONS POUR CATHODE À AUTO-ÉMISSION, PROCÉDÉ DE SA FABRICATION ET CATHODE À AUTO-ÉMISSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/007680    N° de la demande internationale :    PCT/RU2013/000563
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 03.07.2013
CIB :
H01J 1/30 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01)
Déposants : EVLASHIN, Stanislav Aleksandrovich [RU/RU]; (RU).
RAKHIMOV, Alexander Tursunovich [RU/RU]; (RU)
Inventeurs : EVLASHIN, Stanislav Aleksandrovich; (RU).
RAKHIMOV, Alexander Tursunovich; (RU).
STEPANOV, Anton Sergeevich; (RU).
PILEVSKIY, Andrey Aleksandrovich; (RU).
KRIVCHENKO, Viсtor Aleksandrovich; (RU).
PASHCHENKO, Pavel Vladimirovich; (RU).
MANKELEVICH, Yuriy Aleksandrovich; (RU).
POROYKOV, Alexander Yurievich; (RU)
Représentant
commun :
RAKHIMOV, Alexander Tursunovich [RU/RU]; ul. Kravchenko, 9, kv. 7 Moscow, 119415 (RU)
Données relatives à la priorité :
2012127765 04.07.2012 RU
Titre (EN) THREE-DIMENSIONALLY STRUCTURED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR A FIELD EMISSION CATHODE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND FIELD EMISSION CATHODE
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR STRUCTURÉ EN TROIS DIMENSIONS POUR CATHODE À AUTO-ÉMISSION, PROCÉDÉ DE SA FABRICATION ET CATHODE À AUTO-ÉMISSION
(RU) ТРЁХМЕРНО-СТРУКТУРИРОВАННАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПОДЛОЖКА ДЛЯ АВТОЭМИССИОННОГО КАТОДА, СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ И АВТОЭМИССИОННЫЙ КАТОД
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to the art of electrical engineering. The method for producing a three-dimensionally structured substrate for a field emission cathode is characterized in that the surface is prepared by prewashing the substrate to remove impurities, and the portion of the surface that is not subject to etching is chemically and mechanically protected while the portion which is to be etched is left open. The substrate is placed in a tray with an etching electrolyte, and photoelectrochemical etching is carried out within the boundaries of that portion of the surface identified for the subsequent deposition of a field emission carbon film. Furthermore, the photochemical etching is carried out under conditions which enable the formation, on the surface of the substrate, of micropoints or a quasi-regular cell cluster structure formed as an accumulation of cone-shaped channels with a minimum aspect ratio of 2. The three-dimensionally structured field emission cathode substrate is made from p-type crystalline silicon having a conductivity of 1 to 8 Ω•cm. The field emission cathode comprises a substrate with a nanostructured carbon film deposited thereon.
(FR)Le groupe d'inventions concerne le domaine des sources d'électrons à auto-émission hautement efficaces qui peuvent s'utiliser dans des microscopes électroniques, des instruments UHF à vide, des tubes à rayons X, des compensateurs de charge de faisceaux d'ions et dans d'autres applications. Le résultat technique consiste en la possibilité de former par un procédé simple un substrat semi-conducteur structuré en trois dimensions présentant des paramètres optimaux et destiné à la fabrication d'une cathode à auto-émission avec des caractéristiques qui assurent la création d'une auto-cathode possédant des qualités fonctionnelles élevées et formée sur ladite cathode. Le procédé de fabrication d'un substrat pour cathode à auto-émission comprend la formation de structures tridimensionnelles dans le silicium au moyen d'un procédé d'attaque photo-électrochimique. Les électrolytes utilisés pour l'attaque du silicium peuvent être aqueux ou non aqueux. Les structures obtenues ont la forme de micro-pointes ou d'une structure à alvéoles et sommets formée par un ensemble de canaux coniques de forme et de dimensions différentes dans une gamme entre plusieurs micromètres et plusieurs centaines de micromètres. On peut utiliser en tant que source lumineuse différentes types de lampes, à savoir halogènes, lampes à incandescence ordinaires, lampes à sodium et lampes luminescentes. Il est également possible d'utiliser des diodes électroluminescentes (LED) et des lasers. Le trait distinctif principal des substrats pour cathode à auto-émission obtenus par ce procédé consiste en ce qu'il n'est pas nécessaire, pour assurer la croissance sur ces substrats des films en nanocarbone à caractéristiques d'émission élevées, d'appliquer un traitement supplémentaire de la surface de silicium avant la croissance des structures à auto-émission.
(RU)Изобретение относится к области электротехники. Способ получения трехмерно-структурированной подложки для автоэмиссионного катода характеризуется тем, что подготавливают поверхность предварительной отмывкой подложки от загрязнений, химически и механически защищают участок поверхности, не подлежащий травлению, оставляя открытым участок, на котором необходимо осуществить травление. Подложку помещают в кювету с электролитом-травителем, и осуществляют фотоэлектрохимическое травление в пределах участка поверхности, предназначенного для дальнейшего осаждения автоэмиссионной углеродной пленки. Причем фотоэлектрохимическое травление осуществляют в режимах, обеспечивающих формование на поверхности подложки микроострийной квазирегулярной ячеисто-пичковой структуры, образованной совокупностью конусообразных колодцев с аспектным соотношением не менее 2. Трехмерно-структурированная подложка для автоэмиссионного катода выполнена из кристаллического кремния р- типа с проводимостью от 1 до 8 Ом*см. Автоэмиссионный катод содержит подложку с осажденной на нее наноструктурированной углеродной пленкой.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : russe (RU)
Langue de dépôt : russe (RU)