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1. (WO2014007572) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/007572    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/005986
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 05.07.2013
CIB :
H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : JUSUNG ENGINEERING CO., LTD. [KR/KR]; 240, Opo-ro, Opo-eup, Gwangju-si Gyeonggi-do 464-892 (KR)
Inventeurs : HAN, Jeung Hoon; (KR).
HWANG, Chul Joo; (KR).
KIM, Do Hyung; (KR).
SEO, Seung Hoon; (KR)
Mandataire : ASTRAN INT'L IP GROUP; (ShinSung Building, Yeoksam-dong) 5th Floor, 233, Yeoksam-ro, Gangnam-gu, Seoul 135-514 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0073591 06.07.2012 KR
Titre (EN) SUBSTRATE-PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(KO) 기판 처리 장치
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a substrate-processing apparatus, comprising: a process chamber; a substrate support unit arranged inside the process chamber so as to support at least one substrate, and configured to rotate in a predetermined direction; a chamber lid which is arranged opposite the substrate support unit and which covers the top of the process chamber; and a gas injection unit which is connected to the chamber lid and which has a plurality of gas injection modules for injecting gas onto the substrate. Each gas injection module includes: an grounding electrode frame having a plasma reaction space; and a power electrode formed inside the grounding electrode frame so as to cooperate with the grounding electrode frame in order to cause a plasma discharge. The power electrode is configured such that the height of the second side at the edge of the substrate support unit is higher than the height of the first side at the center of the substrate support unit.
(FR)La présente invention concerne un appareil de traitement de substrat, comprenant : une chambre de traitement ; une unité support de substrat agencée à l'intérieur de la chambre de traitement de façon à soutenir au moins un substrat, et configurée pour tourner dans une direction prédéterminée ; un couvercle de chambre qui est agencé de manière opposée à l'unité de support de substrat et qui recouvre la partie supérieure de la chambre de traitement ; et une unité d'injection de gaz qui est connectée au couvercle de chambre et qui possède une pluralité de modules d'injection de gaz pour injecter du gaz sur le substrat. Chaque module d'injection de gaz comprend : un cadre d'électrode de mise à la terre ayant un espace de réaction à plasma ; et une électrode de puissance formée à l'intérieur du cadre d'électrode de mise à la terre de façon à coopérer avec le cadre d'électrode de mise à la terre afin de provoquer une décharge de plasma. L'électrode de puissance est configurée de telle sorte que la hauteur du second côté au bord de l'unité support de substrat soit supérieure à la hauteur du premier côté au centre de l'unité support de substrat.
(KO)본 발명은 공정 챔버; 적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치되며, 소정 방향으로 회전하도록 구성된 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향하면서 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 챔버 리드에 연결되어 있고, 상기 기판 상에 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 구비한 가스 분사부를 포함하여 이루어지고, 이때, 상기 가스 분사 모듈은 플라즈마 반응 공간을 형성하는 접지 전극 프레임 및 상기 접지 전극 프레임 내에 형성되어 상기 접지 전극 프레임과 함께 플라즈마 방전을 일으키는 전원 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 전원 전극은 상기 기판 지지부의 중심부 쪽의 제1 변의 높이보다 상기 기판 지지부의 가장자리부 쪽의 제2 변의 높이가 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)