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1. (WO2014007416) PHOTOPILE EN COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/007416    N° de la demande internationale :    PCT/KR2012/005457
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 10.07.2012
CIB :
H01L 31/0445 (2014.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : KOREA INSTITUTE OF MACHINERY & MATERIALS [KR/KR]; 156, Gajungbukno, Yuseong-gu Daejeon 305-343 (KR) (Tous Sauf US).
RYU, Seoung Yoon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Dong Ho [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
NAM, Kee Seok [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
JEONG, Yong Soo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KWON, Jung Dae [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Sung Hun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YUN, Jung Heum [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Gun Hwan [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
JUNG, Hyung Hwan [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Sung Gyu [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Chang Su [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KANG, Jae Wook [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LIM, Koeng Su [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Sang Il [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : RYU, Seoung Yoon; (KR).
KIM, Dong Ho; (KR).
NAM, Kee Seok; (KR).
JEONG, Yong Soo; (KR).
KWON, Jung Dae; (KR).
LEE, Sung Hun; (KR).
YUN, Jung Heum; (KR).
LEE, Gun Hwan; (KR).
JUNG, Hyung Hwan; (KR).
PARK, Sung Gyu; (KR).
KIM, Chang Su; (KR).
KANG, Jae Wook; (KR).
LIM, Koeng Su; (KR).
PARK, Sang Il; (KR)
Mandataire : NAM, Choong Woo; 3F, Kyungbin Building 517-18 Dogok-dong, Gangnam-gu Seoul 135-854 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0073834 06.07.2012 KR
Titre (EN) THIN-FILM SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) PHOTOPILE EN COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 박막 태양전지 및 그 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)A thin-film solar cell and a method for manufacturing the same are disclosed. A thin-film solar cell according to one embodiment of the present invention comprises: a substrate; a front-surface electrode layer formed on the substrate; an oxide layer formed on the front-surface electrode; an intrinsic layer formed on the oxide layer; and a rear-surface electrode layer formed on the intrinsic layer, wherein the oxide layer is formed of a material selected from among MoO3, WO3, V2O5 and CrO3.
(FR)La présente invention concerne une photopile en couche mince et son procédé de fabrication. Une photopile en couche mince selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un substrat ; une couche d'électrode de surface avant formée sur le substrat ; une couche d'oxyde formée sur l'électrode de surface avant ; une couche intrinsèque formée sur la couche d'oxyde ; et une couche d'électrode de surface arrière formée sur la couche intrinsèque, la couche d'oxyde étant constituée d'un matériau choisi parmi MoO3, WO3, V2O5 et CrO3.
(KO)박막 태양전지 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 태양전지는 기판; 기판상에 형성되는 전면 전극층; 전면 전극 상에 형성되는 옥사이드층; 옥사이드층 상에 형성되는 광 흡수층(intrinsic layer); 및 광 흡수층 상에 형성되는 후면 전극층을 포함하고, 옥사이드층은 MoO3, WO3, V2O5 및 CrO3 중에서 선택되는 물질로 형성된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)