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1. (WO2014007267) PROCÉDÉ DE FAÇONNAGE DE MICROLENTILLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/007267    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/068185
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 02.07.2013
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.12.2013    
CIB :
G03F 7/20 (2006.01), G02B 3/00 (2006.01), G02B 5/20 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : YOSHIBAYASHI Mitsuji; (JP)
Mandataire : TAKAMATSU Takeshi; Koh-Ei Patent Firm, Toranomon East Bldg. 9F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-150690 04.07.2012 JP
Titre (EN) MICROLENS FABRICATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FAÇONNAGE DE MICROLENTILLES
(JA) マイクロレンズの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a microlens fabrication method, whereby, upon a lens material layer which is formed upon a substrate without a melt step being included therein, a mask layer having a pattern shape is formed, dry etching is carried out upon the mask layer and the lens material layer, and the pattern shape of the mask layer is transferred to the lens material layer, forming microlenses. With a melt step of melting by heat flow of a photoresist which forms a mask material not being included therein, an inter-pattern gap for lens shaping by the melt step becomes unnecessary, thus narrowing the mask inter-pattern gap, allowing eliminating a line width misalignment. An inter-pattern fusing associated with the melt step also does not arise, and thus, it is possible to enlarge a mask pattern formation process window. The etching characteristics of the pitch direction and the diagonal direction (the balance between deposition generation and etching progress) are additionally refined, a gapless condition is improved, and it is possible to shorten the etching time.
(FR)L'invention concerne un procédé de façonnage de microlentilles caractérisé en ce que, par-dessus une couche de matériau pour lentilles qui est formée sur un substrat sans faire intervenir une étape de fusion, une couche de masque présentant la forme d'un motif est formée, en ce qu'une gravure sèche est réalisée sur la couche de masque et la couche de matériau pour lentilles, et en ce que la forme du motif de la couche de masque est transférée à la couche de matériau pour lentilles, formant des microlentilles. En ne faisant pas intervenir une étape de fusion consistant à faire fondre par un flux de chaleur une réserve photosensible qui constitue un matériau de masque, un interstice entre motifs pour la conformation des lentilles par l'étape de fusion devient superflu, rétrécissant ainsi l'interstice du masque entre motifs, ce qui permet d'éliminer un défaut d'alignement en largeur de lignes. Un amalgame entre motifs associé à l'étape de fusion est également évité, et il est ainsi possible d'agrandir la fenêtre du processus de formation des motifs de masque. Les caractéristiques de gravure de la direction du pas et de la direction diagonale (l'équilibre entre la génération de dépôts et l'avancement de la gravure) sont en outre affinées, l'élimination des interstices est améliorée et il est possible de raccourcir le temps de gravure.
(JA) 基板上に形成されたレンズ材料層上に、メルト工程を経ることなく、パターン形状を有するマスク層を形成し、前記レンズ材料層とともにドライエッチングし、前記レンズ材料層に前記マスク層のパターン形状を転写してマイクロレンズを形成する、マイクロレンズの製造方法。 マスク材となるフォトレジストの熱フローによるメルト工程を経ないことにより、メルト工程によるレンズ形状化のためのパターン間ギャップが不要となるため、マスクパターン間ギャップを狭め、線幅バラツキを排除できる。また、メルト工程に伴うパターン間融着が発生しないため、マスクパターン形成のプロセスウインドウを拡大することができる。さらに、ピッチ方向と対角方向とのエッチング特性(デポの生成とエッチング進行とのバランス)が改善され、ギャップレス化を向上させ、エッチング時間を短縮することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)