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1. (WO2014007263) LIQUIDE DE REVÊTEMENT POUR DIFFUSION DE DOPANT, PROCÉDÉ POUR APPLIQUER LEDIT LIQUIDE DE REVÊTEMENT, PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UN SEMI-CONDUCTEUR ASSOCIÉ, ET SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/007263    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/068178
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 02.07.2013
CIB :
H01L 21/225 (2006.01), H01L 21/228 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : THE NIPPON SYNTHETIC CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD. [JP/JP]; 2-4, Komatsubara-cho, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300018 (JP)
Inventeurs : KATSUMA Katsuhiko; (JP).
AOKI Yasuhiro; (JP)
Mandataire : SAITOH Yukihiko; City Corp. Minamimorimachi 802, 2-7, Minamimorimachi 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300054 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-150208 04.07.2012 JP
Titre (EN) COATING LIQUID FOR DOPANT DIFFUSION, METHOD FOR APPLYING SAME, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR USING SAME, AND SEMICONDUCTOR
(FR) LIQUIDE DE REVÊTEMENT POUR DIFFUSION DE DOPANT, PROCÉDÉ POUR APPLIQUER LEDIT LIQUIDE DE REVÊTEMENT, PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UN SEMI-CONDUCTEUR ASSOCIÉ, ET SEMI-CONDUCTEUR
(JA) ドーパント拡散用塗布液、およびその塗布方法、並びにそれを用いた半導体の製法、半導体
Abrégé : front page image
(EN)This coating liquid for dopant diffusion contains, as a dopant source, an acid that is selected from among phosphoric acids and boric acids and an organic amine salt of an organic amine compound (α) having 1-4 nitrogen atoms. Consequently, there can be provided: a coating liquid for dopant diffusion, which is capable of providing a semiconductor having a high surface resistivity; a method for applying the coating liquid for dopant diffusion; a method for producing a semiconductor using the coating liquid for dopant diffusion; and a semiconductor.
(FR)La présente invention concerne un liquide de revêtement pour diffusion de dopant qui contient, en tant que source de dopant, un acide qui est sélectionné parmi des acides phosphoriques et des acides boriques et un sel d'amine organique d'un composé amine organique (α) qui possède 1 à 4 atomes d'azote. Par conséquent, il est possible de proposer : un liquide de revêtement pour diffusion de dopant, qui est capable de fournir un semi-conducteur qui possède une résistivité superficielle élevée ; un procédé pour appliquer le liquide de revêtement pour diffusion de dopant ; un procédé pour produire un semi-conducteur en utilisant le liquide de revêtement pour diffusion de dopant ; et un semi-conducteur.
(JA) リン酸類およびホウ酸類から選ばれた酸と、窒素原子数1~4の有機アミン化合物(α)の有機アミン塩を、ドーパント源として含有するドーパント拡散用塗布液とする。このため、表面抵抗値の高い半導体が得られるドーパント拡散用塗布液、およびその塗布方法、並びにそれを用いた半導体の製法、半導体を提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)