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1. (WO2014007261) DISPOSITIF, SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE PANNES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/007261    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/068171
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 02.07.2013
CIB :
H01L 31/042 (2006.01), G01R 31/40 (2006.01)
Déposants : JX NIPPON OIL & ENERGY CORPORATION [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008162 (JP)
Inventeurs : YOSHIDOMI Masanobu; (JP).
ISHII Takafumi; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-149332 03.07.2012 JP
Titre (EN) FAILURE DETECTION DEVICE, FAILURE DETECTION SYSTEM, AND FAILURE DETECTION METHOD
(FR) DISPOSITIF, SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE PANNES
(JA) 故障検知装置、故障検知システム、及び故障検知方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a failure detection device (5) for detecting for a failure of a bypass diode in at least one solar cell string (130) that comprises solar cells and at least one bypass diode connected in parallel to the solar cells and that is currently disconnected from a load, said failure detection device (5) comprising: a current source circuit (51) for supplying a current having a predetermined current value from a negative terminal of the solar cell string (130) toward a positive terminal; a voltage measurement unit (52) for measuring a voltage difference between the negative terminal and the positive terminal of the solar cell string (130) when the current is supplied by the current source circuit (51); and a control/determination unit (53) for determining whether or not the bypass diode has failed on the basis of the voltage difference measured by the voltage measurement unit (52).
(FR)L'invention concerne un dispositif (5) de détection de pannes destiné à détecter une panne d'une diode de dérivation dans au moins une chaîne (130) de cellules solaires qui comprend des cellules solaires et au moins une diode de dérivation branchée en parallèle avec les cellules solaires et qui, à l'instant considéré, est déconnectée d'une charge, ledit dispositif (5) de détection de pannes comportant : un circuit (51) de source de courant servant à fournir un courant d'une valeur d'intensité prédéterminée d'une borne négative de la chaîne (130) de cellules solaires vers une borne positive ; une unité (52) de mesure de tension servant à mesurer une différence de tension entre la borne négative et la borne positive de la chaîne (130) de cellules solaires lorsque le courant est fourni par le circuit (51) de source de courant ; et une unité (53) de régulation / détermination servant à déterminer si la diode de dérivation est défaillante ou non en se basant sur la différence de tension mesurée par l'unité (52) de mesure de tension.
(JA) 故障検知装置5は、太陽電池セルと太陽電池セルに並列接続された少なくとも1つのバイパスダイオードとを具備し、負荷に対して解列状態にある少なくとも1つの太陽電池ストリング130を対象にして、バイパスダイオードの故障を検知する故障検知装置であって、太陽電池ストリング130の負極から正極に向けて規定の電流値の電流を供給する電流源回路51と、電流源回路51による電流の供給時に太陽電池ストリング130の負極と正極との間の電位差を測定する電圧測定部52と、電圧測定部52によって測定された電位差に基づいてバイパスダイオードの故障を判定する制御/判定部53とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)