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1. (WO2014007108) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET DISPOSITIF CAMÉRA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/007108    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/067363
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 25.06.2013
CIB :
H01L 27/148 (2006.01), H04N 5/359 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : FUJIOKA Takeshi; (JP).
KUROSE Tomoki; (JP).
TANAKA Hiroaki; (JP)
Mandataire : INAMOTO Yoshio; Nishishinjukukimuraya Building 9F, 5-25, Nishi-Shinjuku 7-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-149552 03.07.2012 JP
Titre (EN) SOLID STATE IMAGING ELEMENT, SOLID STATE IMAGING DEVICE, AND CAMERA DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET DISPOSITIF CAMÉRA
(JA) 固体撮像素子、固体撮像装置、およびカメラ装置
Abrégé : front page image
(EN)The present technology relates to a solid state imaging element, solid state imaging device, and a camera device such that white spots can be made unnoticeable even with a small cell size. The solid state imaging element comprises: register which is formed as an n-type impurity region extending in a first direction; a read-out unit which is formed as a p-type impurity region extending in the same direction as the register and reads out electric charges from a photoelectric converter into the register; a horizontal element separator which is formed as a p-type impurity region extending in the same direction as the register and suppresses a leak of electric charges from the photoelectric converter; and a plurality of transfer electrodes for applying a voltage to change the potential distribution of the register. The total amount of n-type impurities constituting the register under a low level electrode of the plurality of transfer electrodes in which the standby voltage is a prescribed low voltage is smaller than the total amount of n-type impurities constituting the register under a middle level electrode in which the standby voltage is higher than the prescribed low voltage.
(FR)La présente technologie concerne un élément d'imagerie à semi-conducteurs, un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs, et un dispositif caméra de telle sorte que des points blancs peuvent être rendus invisibles même avec une faible taille de cellule. L'élément d'imagerie à semi-conducteurs comprend : un registre qui est formé en tant que région d'impuretés de type n s'étendant dans une première direction ; une unité de lecture qui est formée en tant que région d'impuretés de type p s'étendant dans la même direction que le registre et qui lit des charges électriques provenant d'un convertisseur photoélectrique dans le registre ; un séparateur d'élément horizontal qui est formé en tant que région d'impuretés de type p s'étendant dans la même direction que le registre et qui supprime une fuite de charges électriques provenant du convertisseur photoélectrique ; et une pluralité d'électrodes de transfert pour appliquer une tension afin de changer la distribution de potentiel du registre. La quantité totale d'impuretés de type n constituant le registre sous une électrode de bas niveau de la pluralité des électrodes de transfert dans lesquelles la tension de veille est une faible tension préétablie est inférieure à la quantité totale d'impuretés de type n constituant le registre sous une électrode de niveau moyen dans laquelle la tension de veille est supérieure à la faible tension préétablie.
(JA) 本技術は、セルサイズを微細化させても、白キズが目立たないようにすることができる固体撮像素子、固体撮像装置、およびカメラ装置に関する。 第1の方向に延在するn型不純物領域として形成されるレジスタ部と、レジスタ部に光電変換部から電荷を読み出し、レジスタ部と同じ方向に延在するp型不純物領域として形成される読み出し部と、光電変換部からの電荷の漏れ出しを抑止し、レジスタ部と同じ方向に延在するp型不純物領域として形成される水平素子分離部と、レジスタ部のポテンシャル分布を変化させるための電圧を印加する複数の転送電極とを有し、複数の転送電極のうち、待機電圧が所定の低電圧であるローレベル電極の下におけるレジスタ部を構成するn型不純物の総量が、待機電圧が所定の低電圧より高い電圧であるミドルレベル電極の下におけるレジスタ部を構成するn型不純物の総量より少ない。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)