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1. (WO2014007107) DISPOSITIF DE FORMATION D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE COMMANDE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/007107    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/067362
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 25.06.2013
CIB :
H04N 5/374 (2011.01), H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/359 (2011.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : NAKAMURA Ryosuke; (JP).
KOGA Fumihiko; (JP).
NAGANOKAWA Haruhisa; (JP)
Mandataire : INAMOTO Yoshio; Nishishinjukukimuraya Building 9F, 5-25, Nishi-Shinjuku 7-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-149098 03.07.2012 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE, DRIVING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE COMMANDE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、駆動方法、および電子機器
Abrégé : front page image
(EN)The present technology relates to a solid-state imaging device, driving method, and electronic device that allow the practical application of a pixel having an overflow structure. A low-driving-capability transistor generates a transfer pulse to be input to a gate electrode of a transfer transistor for a pixel having an overflow structure. A high-driving-capability transistor is connected in parallel with the low-driving-capability transistor, and generates a transfer pulse. After driving the low-driving-capability transistor, a driving circuit stops the low-driving-capability transistor, and drives the high-driving-capability transistor. The present technology may, for example, be applied to a CMOS image sensor.
(FR)La présente invention se rapporte : à un dispositif de formation d'image à semi-conducteurs ; à un procédé de commande ; et à un dispositif électronique. Les dispositifs et le procédé selon l'invention sont aptes à permettre l'application pratique d'un pixel ayant une structure de dépassement de capacité. Un transistor à faible capacité de commande génère une impulsion de transfert qui doit être entrée dans une électrode grille d'un transistor de transfert, pour un pixel ayant une structure de dépassement de capacité. Un transistor à forte capacité de commande est connecté en parallèle au transistor à faible capacité de commande, et il génère une impulsion de transfert. Après avoir commandé le transistor à faible capacité de commande, un circuit de commande arrête le transistor à faible capacité de commande et commande le transistor à forte capacité de commande. La présente invention peut être mise en œuvre dans un capteur d'image CMOS, par exemple.
(JA) 本技術は、オーバーフロー構造を有する画素を実用化することができるようにする固体撮像装置、駆動方法、および電子機器に関する。 低駆動能力トランジスタは、オーバーフロー構造を有する画素の転送トランジスタのゲート電極に入力する転送パルスを発生する。高駆動能力トランジスタは、低駆動能力トランジスタと並列に接続され、転送パルスを発生する。駆動回路は、低駆動能力トランジスタを駆動させた後、低駆動能力トランジスタを停止させ、高駆動能力トランジスタを駆動させる。本技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)