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1. (WO2014007098) SOURCE LUMINEUSE LASER EN ULTRAVIOLET PROFOND AU MOYEN D'UNE EXCITATION DE FAISCEAU ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/007098    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/067234
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 24.06.2013
CIB :
H01S 5/04 (2006.01), H01S 3/0959 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : STANLEY ELECTRIC CO., LTD [JP/JP]; 2-9-13, Nakameguro, Meguro-ku Tokyo 1538636 (JP)
Inventeurs : MATSUMOTO Takahiro; (JP).
IWAYAMA Sho; (JP)
Mandataire : IGARASHI Shozo; JPR Yokohama Nihon-Ohdori Bldg. 11F, 17 Nihon-Ohdori, Naka-Ku Kanagawa 2310021 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-148314 02.07.2012 JP
Titre (EN) DEEP ULTRAVIOLET LASER LIGHT SOURCE BY MEANS OF ELECTRON BEAM EXCITATION
(FR) SOURCE LUMINEUSE LASER EN ULTRAVIOLET PROFOND AU MOYEN D'UNE EXCITATION DE FAISCEAU ÉLECTRONIQUE
(JA) 電子線励起による深紫外レーザ光源
Abrégé : front page image
(EN)This deep ultraviolet laser light source is provided with: a substrate; a wide band gap semiconductor layer which is provided on the substrate; an aluminum metal back layer which is provided on the wide band gap semiconductor layer; and a resonator structure which causes deep ultraviolet light produced from the wide band gap semiconductor layer to resonate. This deep ultraviolet laser light source is configured such that the wide band gap semiconductor layer is excited by electron beam irradiation from the aluminum metal back layer side and laser oscillation of the deep ultraviolet light produced from the wide band gap semiconductor layer is caused by the resonator structure. Consequently, there is achieved a deep ultraviolet laser light source which uses a wide band gap semiconductor layer by means of electron beam excitation.
(FR)La présente invention a trait à une source lumineuse laser en ultraviolet profond qui est équipée : d'un substrat ; d'une couche semi-conductrice à large écart énergétique qui est prévue sur le substrat ; d'une couche arrière métallique d'aluminium qui est prévue sur la couche semi-conductrice à large écart énergétique ; et d'une structure de résonateur qui fait en sorte que la lumière en ultraviolet profond qui est produite à partir de la couche semi-conductrice à large écart énergétique résonne. La source lumineuse laser en ultraviolet profond selon la présente invention est conçue de manière à ce que la couche semi-conductrice à large écart énergétique soit excitée par une irradiation de faisceau électronique provenant du côté de la couche arrière métallique d'aluminium et l'oscillation laser de la lumière en ultraviolet profond qui est produite à partir de la couche semi-conductrice à large écart énergétique est causée par la structure de résonateur. En conséquence de quoi, il est possible d'obtenir une source lumineuse laser en ultraviolet profond qui utilise une couche semi-conductrice à large écart énergétique au moyen d'une excitation de faisceau électronique.
(JA) 深紫外レーザ光源は、基板と、基板上に設けられたワイドバンドギャップ半導体層と、ワイドバンドギャップ半導体層上に設けられたアルミニウムメタルバック層と、ワイドバンドギャップ半導体層から発生した深紫外光を共振させる共振器構造とを具備し、アルミニウムメタルバック層側より電子線を照射してワイドバンドギャップ半導体層を励起してワイドバンドギャップ半導体層から発生した深紫外光を共振器構造によりレーザ発振するようにする。これにより、電子線励起によるワイドバンドギャップ半導体層を用いた深紫外レーザ光源を実現する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)