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1. (WO2014007014) ÉLÉMENT DE CIRCUIT NON RÉCIPROQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/007014    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/065440
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 04.06.2013
CIB :
H01P 1/383 (2006.01), H01P 1/36 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : MAKINO Toshihiro; (JP)
Mandataire : PROFIC PC; Iyo Building, 2-21, Minamihommachi 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-148282 02.07.2012 JP
Titre (EN) NON-RECIPROCAL CIRCUIT ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CIRCUIT NON RÉCIPROQUE
(JA) 非可逆回路素子
Abrégé : front page image
(EN)With respect to a microwave magnetic material (20) to which a direct-current magnetic field is applied by way of a permanent magnet, a first center conductor (21), a second center conductor (22), and a third center conductor (23) are each disposed so as to cross one another in insulated states. The invention treats one end of the first center conductor (21) as a first port (P1), one end of the second center conductor (22) as a second port (P2), and one end of the third center conductor (23) as a third port (P3). A first capacitance element (C1) is connected in parallel with respect to the first center conductor (21); a second capacitance element (C2) is connected in parallel with respect to the second center conductor (22); each of the other ends of the first center conductor (21); the second center conductor (22), and the third center conductor (23) are connected to one another, and are grounded via a first inductive element (Lg) and a third capacitance element (Cg) which are serially connected. A second inductive element (LA) is connected in parallel with respect to one end of the center conductor (23), whereas the other end of the second inductive element (LA) is connected to a ground. A fourth capacitance element (Cs3) is connected to a connection node between the one end of the center conductor (23) and the second inductive element (LA), whereas the other end of the fourth capacitance element (Cs3) is connected to a third terminal (43).
(FR)Selon la présente invention, par rapport à un matériau magnétique à micro-ondes (20) sur lequel est appliqué un champ magnétique à courant continu au moyen d'un aimant permanent, un premier conducteur central (21), un deuxième conducteur central (22) et un troisième conducteur central (23) sont chacun disposés de manière à se croiser les uns les autres dans des états isolés. La présente invention traite une extrémité du premier conducteur central (21) en tant que premier accès (P1), une extrémité du deuxième conducteur central (22) en tant que deuxième accès (P2), et une extrémité du troisième conducteur central (23) en tant que troisième accès (P3). Un premier élément de capacité (C1) et monté en parallèle par rapport au premier conducteur central (21) ; un deuxième élément de capacité (C2) est monté en parallèle par rapport au deuxième conducteur central (22) ; chacune des autres extrémités du premier conducteur central (21) ; le deuxième conducteur central (22) et le troisième conducteur central (23) sont connectés l'un à l'autre et sont mis à la masse par l'intermédiaire d'un premier élément inductif (Lg) et d'un troisième élément de capacité (Cg) qui sont montés en série. Un deuxième élément inductif (LA) est monté en parallèle par rapport à une extrémité du conducteur central (23), tandis que l'autre extrémité du deuxième élément inductif (LA) est connectée à la masse. Un quatrième élément de capacité (Cs3) est connecté à un nœud de connexion entre la première extrémité du conducteur central (23) et le deuxième élément inductif (LA), tandis que l'autre extrémité du quatrième élément de capacité (Cs3) est connectée à une troisième borne (43).
(JA) 永久磁石により直流磁界が印加されるマイクロ波磁性体20に第1中心導体21、第2中心導体22及び第3中心導体23をそれぞれ絶縁状態で交差させて配置し、中心導体21の一端を第1ポートP1、中心導体22の一端を第2ポートP2、中心導体23の一端を第3ポートP3としている。中心導体21に対して第1容量素子C1を並列に接続し、中心導体22に対して第2容量素子C2を並列に接続し、中心導体21、中心導体22及び中心導体23のそれぞれの他端は互いに接続されるとともに、直列に接続された第1インダクタンス素子Lgと第3容量素子Cgとを介してグランドに接続されている。中心導体23の一端に対して第2インダクタンス素子LAを並列に接続し、該第2インダクタンス素子LAの他端はグランドに接続されている。中心電極23の一端と第2インダクタンス素子LAとの接続点に第4容量素子Cs3を接続し、該第4容量素子Cs3の他端は第3端子43に接続されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)