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1. (WO2014006812) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT EN DEUX DIMENSIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/006812    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/003256
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 22.05.2013
CIB :
G01T 1/24 (2006.01), H01L 27/144 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/09 (2006.01)
Déposants : SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 1, Nishinokyo-Kuwabaracho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048511 (JP)
Inventeurs : KAINO, Masatomo; (JP).
YOSHIMUTA, Toshinori; (JP).
TOKUDA, Satoshi; (JP).
KISHIHARA, Hiroyuki; (JP).
YOSHIMATSU, Akina; (JP).
DOKI, Takahiro; (JP)
Mandataire : SUGITANI, Tsutomu; Nishitenma No.11 Matsuya Bldg., 10-8, Nishitenma 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-150201 04.07.2012 JP
Titre (EN) TWO-DIMENSIONAL RADIATION DETECTOR
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT EN DEUX DIMENSIONS
(JA) 放射線二次元検出器
Abrégé : front page image
(EN)Although a hole blocking layer has been hitherto formed by an inorganic semiconductor, a hole blocking layer (24) is formed by a conductive organic crystalline substance. Since an organic crystalline substance easily dissolves in an organic solvent, the hole blocking layer (24) produced from the conductive organic crystalline substance can be formed to have a large area by being coated with the organic solvent in which the organic crystalline substance has dissolved. More specifically, the hole blocking layer (24) can be evenly coated by a coating device such as a spin coater, a dispenser, or an ink jet. Further, if the ink jet is used, the hole blocking layer (24) can be pattern-formed pixel by pixel (with respect to each pixel electrode (11)). As a result, a structure having the hole blocking layer (24), for example, with a thickness of approximately several hundred nanometers to several micrometers can be easily implemented by coating without being formed in a vacuum.
(FR)Bien qu'une couche de blocage de trous ait été auparavant formée par un semi-conducteur inorganique, une couche de blocage de trous (24) selon l'invention est formée par une substance cristalline organique conductrice. Une substance cristalline organique se dissout facilement dans un solvant organique et, de ce fait, la couche de blocage de trous (24) produite à partir de la substance cristalline organique conductrice peut être formée avec une grande superficie en la déposant avec le solvant organique dans lequel la substance cristalline organique a été dissoute. Plus spécifiquement, la couche de blocage de trous (24) peut être déposée uniformément au moyen d'un dispositif applicateur tel qu'une coucheuse centrifuge, un distributeur ou un jet d'encre. En outre, si le jet d'encre est utilisé, la couche de blocage de trous (24) peut être formée selon un motif pixel par pixel (par rapport à chaque électrode de pixel (11)). Le résultat est une structure dotée de la couche de blocage de trous (24), ayant par exemple une épaisseur d'environ plusieurs centaines de nanomètres à plusieurs micromètres, facile à réaliser par dépôt sans nécessiter de formage sous vide.
(JA) 従来では正孔阻止層が無機半導体で形成されていたのを替えて、導電性の有機結晶物で正孔阻止層24を形成する。有機結晶物は有機溶剤に容易に溶解するので、有機結晶物が溶解した有機溶剤を塗布することにより、導電性の有機結晶物からなる正孔阻止層24を大面積で形成することができる。具体的には、スピンコータ、ディスペンサ、インクジェットなどの塗布装置で正孔阻止層24を一様に塗布することができる。また、インクジェットを用いれば正孔阻止層24を画素単位で(画素電極11毎に)パターン形成することが可能である。その結果、真空中で形成することなく塗布により、例えば数百nm~数μm程度の厚みの正孔阻止層24を有した構造を簡易に実現することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)