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1. (WO2014006682) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER CE DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/006682    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/066917
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 02.07.2012
CIB :
H01L 21/52 (2006.01), B23K 1/19 (2006.01), B23K 1/20 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 23/50 (2006.01)
Déposants : Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (Tous Sauf US).
KAWASE, Tatsuya [--/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIHARA, Mikio [--/JP]; (JP) (US Seulement).
SASAKI, Taishi [--/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAYAMA, Tsuyoshi [--/JP]; (JP) (US Seulement).
KATO, Hajime [--/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAWASE, Tatsuya; (JP).
ISHIHARA, Mikio; (JP).
SASAKI, Taishi; (JP).
TAKAYAMA, Tsuyoshi; (JP).
KATO, Hajime; (JP)
Mandataire : TAKADA, Mamoru; Takada, Takahashi & Partners, 5th Floor, Intec 88 Bldg., 20, Araki-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1600007 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER CE DERNIER
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Firstly, a plurality of through holes (5) are formed from the upper surface of the conductive board (4) toward the lower surface thereof. Then, the conductive board (4) wrapped with a solder (6) is inserted into between an electrode (2) of a semiconductor element (1) and a metal frame (3). Then, the electrode (2) and the metal frame (3) are bonded to each other by heating the electrode and the metal frame with the solder (6) and the conductive board (4) therebetween. In such a manner, since the least necessary thickness of the solder (6) can be ensured by inserting the conductive board (4) into between the electrode (2) of the semiconductor element (1) and the metal frame (3), dimensional tolerance of the thickness of the solder (6) can be reduced. Furthermore, the solder (6) is not excessively supplied by adjusting the quantity of the solder (6) to wrap the conductive board (4), and a suitable quantity of the solder can be supplied even to the small semiconductor element (1).
(FR)Selon la présente invention, une pluralité de trous traversants (5) sont d'abord formés depuis la surface supérieure de la carte conductrice (4) vers la surface inférieure de cette dernière. Ensuite, la carte conductrice (4) enveloppée avec un métal d'apport (6) est insérée entre une électrode (2) d'un élément semi-conducteur (1) et un cadre métallique (3). Ensuite, l'électrode (2) et le cadre métallique (3) sont liés l'un à l'autre par chauffage de l'électrode et du cadre métallique avec le métal d'apport (6), la carte conductrice (4) étant agencée entre ces derniers. De cette manière, puisque l'épaisseur la moins nécessaire du métal d'apport (6) peut être assurée par insertion de la carte conductrice (4) entre l'électrode (2) de l'élément semi-conducteur (1) et le cadre métallique (3), la tolérance dimensionnelle de l'épaisseur du métal d'apport (6) peut être réduite. En outre, le métal d'apport (6) n'est pas fourni en excès par l'ajustement de la quantité de métal d'apport (6) pour envelopper la carte conductrice (4), et une quantité appropriée du métal d'apport peut être fournie même au petit élément semi-conducteur (1).
(JA) まず、導電板(4)の上面から下面に向かって複数の貫通孔(5)を形成する。次に、半導体素子(1)の電極(2)と金属フレーム(3)との間に、半田(6)で包んだ導電板(4)を挿入する。次に、半田(6)及び導電板(4)を介して電極(2)と金属フレーム(3)を加熱接合させる。このように半導体素子(1)の電極(2)と金属フレーム(3)との間に導電板(4)を挿入することで最低限の半田(6)の厚みを確保できるため、半田(6)の厚みの寸法公差を低減できる。また、導電板(4)を包む半田(6)の量を調整することで半田(6)が過剰供給されず、小さい半導体素子(1)にも適当量の半田を供給できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)