WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014006654) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/006654    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/004339
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 04.07.2012
CIB :
H03L 7/093 (2006.01), H03L 7/087 (2006.01)
Déposants : Renesas Electronics Corporation [JP/JP]; 1753, Shimonumabe, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118668 (JP) (Tous Sauf US).
OZAKI, Kiyoharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OZAKI, Kiyoharu; (JP)
Mandataire : IEIRI, Takeshi; HIBIKI IP Law Firm, Asahi Bldg. 10th Floor, 3-33-8, Tsuruya-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210835 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device according to an embodiment comprises: a phase comparator which generates phase difference determination signals (UP, DN); control current generation circuits (211-21m) each of which is provided with a current source for generating a first bias current having a predetermined current value, and inputs/outputs a frequency control current generated from the first bias current on the basis of the phase difference determination signals (UP, DN); a loop filter (26) which generates frequency control voltage on the basis of the frequency control current; a voltage control oscillator (27) which controls the frequency of an output signal (S3) according to the frequency control voltage; and a control unit (109) which generates a parallel number switching signal (S1) and a bias current switching signal (S2). Regarding the control current generation circuits (211-21m), the number of control current generation circuits which operate in parallel in response to the parallel number switching signal (S1) is controlled, and the frequency control current inputted/outputted by one control current generation circuit in response to the bias current switching signal (S2) is set to the reciprocal multiple of a parallel number.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant selon un mode de réalisation : un comparateur de phase qui génère des signaux de détermination de différence de phase (UP, DN) ; des circuits de génération de courant de contrôle (211-21m) chacun desquels est doté d'une source de courant destinée à générer un premier courant de polarisation ayant une valeur de courant prédéterminée, et reçoit/émet un courant de contrôle de fréquence généré à partir du premier courant de polarisation en fonction des signaux de détermination de différence de phase (UP, DN) ; un filtre de boucle (26) qui génère une tension de contrôle de fréquence en fonction du courant de contrôle de fréquence ; un oscillateur de contrôle de tension (27) qui contrôle la fréquence d'un signal de sortie (S3) selon la tension de contrôle de fréquence ; et une unité de contrôle (109) qui génère un signal de commutation de nombre parallèle (S1) et un signal de commutation de courant de polarisation (S2). En ce qui concerne les circuits de génération de courant de contrôle (211-21m), le nombre de circuits de génération de courant de contrôle qui fonctionnent parallèlement en réponse au signal de commutation de nombre parallèle (S1) est contrôlé, et le courant de contrôle de fréquence reçu/émis par un circuit de génération de courant de contrôle en réponse au signal de commutation de courant de polarisation (S2) est défini au multiple réciproque d'un nombre parallèle.
(JA) 一実施の形態にかかる半導体装置は、位相差判定信号(UP、DN)を生成する位相比較器と、それぞれが、予め決められた電流値を有する第1のバイアス電流を生成する電流源を備え、位相差判定信号(UP、DN)に基づき第1のバイアス電流から生成した周波数制御電流の入出力を行う制御電流生成回路(211~21m)と、周波数制御電流に基づき周波数制御電圧を生成するループフィルタ(26)と、周波数制御電圧に応じて出力信号(S3)の周波数を制御する電圧制御発振器(27)と、並列数切替信号(S1)とバイアス電流切替信号(S2)とを生成する制御部(109)と、を有し、制御電流生成回路(211~21m)は、並列数切替信号(S1)に応じて並列動作する制御電流生成回路の数が制御され、バイアス電流切替信号(S2)に応じて1つの制御電流生成回路が入出力する周波数制御電流を並列数の逆数倍とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)