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1. (WO2014006648) DÉTECTEUR DE CONDUCTIVITÉ THERMIQUE (TCD) POUR APPLICATIONS CHROMATOGRAPHIQUES EN PHASE GAZEUSE (GC) RAPIDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/006648    N° de la demande internationale :    PCT/IT2013/000178
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 27.06.2013
CIB :
G01N 25/18 (2006.01), G01N 30/66 (2006.01)
Déposants : CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE [IT/IT]; Piazzale Aldo Moro, 7 I-00185 Roma (IT).
POLLUTION S.R.L. [IT/IT]; Via Guizzardi, 52 I-40054 Budrio (BO) (IT)
Inventeurs : COZZANI, Enrico; (IT).
CARDINALI, Gian Carlo; (IT).
MESSINA, Marco; (IT).
ZAMPOLLI, Stefano; (IT).
ELMI, Ivan; (IT).
POGGI, Antonella; (IT).
MANCARELLA, Fulvio; (IT)
Mandataire : SANTI, Filippo; Barzano' & Zanardo Roma S.p.A. Via Piemonte, 26 I-00187 Roma (IT)
Données relatives à la priorité :
RM2012A000311 04.07.2012 IT
Titre (EN) THERMAL CONDUCTIVITY DETECTOR (TCD) FOR APPLICATIONS IN FAST GAS- CHROMATOGRAPHIC (GC)
(FR) DÉTECTEUR DE CONDUCTIVITÉ THERMIQUE (TCD) POUR APPLICATIONS CHROMATOGRAPHIQUES EN PHASE GAZEUSE (GC) RAPIDES
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a new Thermal Conductivity Detector (TCD) specifically suited for fast Gas Chromatographic (GC) applications (gas analysis technique characterized by rapid analysis cycles). In the TCD of the invention, micro- electromechanical processing technique is used to fabricate a miniaturized device, which consists of two couples of platinum resistors put in a Wheatstone bridge configuration and suspended upon dielectric membranes at the centre of two flowing channels (reference channel and analytical channel). The novel aspect of the proposed layout, with respect to the prior art, consists in locating each couple of resistors over a single dielectric membrane, so that the length of the area occupied by each couple of resistors is shorter than a sample gas packet length to be analyzed, which prevents the formation of artifacts during peaks detection by means of fast GC technique. As a direct consequence, this innovative configuration provided by the use of Micro-Electro-Mechanical-Systems (MEMS) technological processes, ensures the fabrication of extremely-low-volume TCDs, which makes them suitable for applications like fast-GC, where very low dead volumes are required to prevent unwanted phenomena like extra-column band broadening.
(FR)La présente invention vise à proposer un nouveau détecteur de conductivité thermique (TCD) approprié de manière spécifique pour applications chromatographiques en phase gazeuse (GC) rapides (technique d'analyse en phase gazeuse caractérisée par des cycles d'analyse rapides). Dans le TCD de la présente invention, une technique de traitement micro-électromécanique est utilisée pour fabriquer un dispositif miniaturisé, qui consiste en deux couples de résistances en platine placées selon une configuration de pont de Wheatstone et en suspension sur des membranes diélectriques au centre de deux canaux d'écoulement (canal de référence et canal analytique). Un nouvel aspect de la disposition proposée, par rapport à l'état antérieur de la technique, consiste à positionner chaque couple de résistances sur une membrane diélectrique unique, de telle sorte que la longueur de la surface occupée par chaque couple de résistances est plus courte qu'une longueur de paquet de gaz d'échantillon à analyser, ce qui empêche la formation d'artéfacts durant une détection de pics au moyen d'une technique GC rapide. En conséquence directe, la configuration de la présente invention fournie par l'utilisation de processus technologiques de systèmes micro-électromécaniques (MEMS) permet la fabrication de TCD de volume extrêmement faible, ce qui les rend appropriés pour des applications de type GC rapide, où des volumes morts très faibles sont nécessaires pour empêcher des phénomènes non souhaités comme un élargissement de bande extra-colonne.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)