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1. (WO2014006540) NANOSTRUCTURES À REVÊTEMENT FORMANT BARRIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/006540    N° de la demande internationale :    PCT/IB2013/055214
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 25.06.2013
CIB :
B82Y 15/00 (2011.01), G01N 21/55 (2006.01), G01N 21/64 (2006.01), G01N 21/65 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS N.V. [NL/NL]; High Tech Campus 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Inventeurs : WIMBERGER-FRIEDL, Reinhold; (NL).
DE WITZ, Christianne Rossette Maria; (NL).
VAN DEN HEUVEL, Cornelius Antonius; (NL)
Mandataire : STEFFEN, Thomas; High Tech Campus 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
61/666,963 02.07.2012 US
Titre (EN) BARRIER COATED NANO STRUCTURES
(FR) NANOSTRUCTURES À REVÊTEMENT FORMANT BARRIÈRE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a device comprising a nano-structure and a corresponding method of manufacturing, wherein said nano- structure is made of electrically conductive material and wherein said nano- structure is covered by a barrier coating comprising Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, Sc, Y, Ge, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Sr, Al, B, Ba, Bi, and/or Mg oxide in a thickness of at least about 1 nm, wherein said barrier coating is deposited by atomic layer deposition (ALD). The present invention also relates to a method of detecting a target compound in such a device, the use of such a device for surface specifically creating an evanescent field, measuring the dielectric properties of a medium, detecting the presence or the concentration of a target compound, determining the primary structure of a target compound, determining a deviation of the target compound from a control value, amplifying a target compound, or monitoring the amplification of a target compound.
(FR)La présente invention concerne un dispositif comprenant une nanostructure, ladite nanostructure étant réalisée en matériau électriquement conducteur et étant couverte d'un revêtement formant barrière comprenant de l'oxyde de Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, Sc, Y, Ge, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Sr, Al, B, Ba, Bi et/ou Mg sur une épaisseur d'au moins environ 1 nm, ledit revêtement formant barrière étant déposé par dépôt de couches atomiques (ALD). La présente invention concerne également un procédé de détection d'un composé cible dans ce genre de dispositif, l'utilisation de ce dispositif pour une création spécifiquement superficielle d'un champ évanescent, une mesure des propriétés diélectriques d'un support, une détection de la présence ou de la concentration d'un composé cible, une détermination de la structure primaire d'un composé cible, une détermination d'une déviation du composé cible par rapport à une valeur de contrôle, une amplification d'un composé cible, ou une surveillance de l'amplification d'un composé cible.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)