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1. (WO2014006539) PHOSPHORE SÉPARÉ D'UNE LED PAR UN MATÉRIAU TAMPON TRANSPARENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/006539    N° de la demande internationale :    PCT/IB2013/055207
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 25.06.2013
CIB :
H01L 33/50 (2010.01), H01L 33/52 (2010.01), H01L 33/58 (2010.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS N.V. [NL/NL]; High Tech Campus 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Inventeurs : BUTTERWORTH, Mark Melvin; (NL).
VAMPOLA, Kenneth; (NL)
Mandataire : VAN EEUWIJK, Alexander Henricus Walterus; High Tech Campus Building 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
61/668,062 05.07.2012 US
Titre (EN) PHOSPHOR SEPARATED FROM LED BY TRANSPARENT SPACER
(FR) PHOSPHORE SÉPARÉ D'UNE LED PAR UN MATÉRIAU TAMPON TRANSPARENT
Abrégé : front page image
(EN)To reduce absorption by an LED die (12) of light emitted by a phosphor layer (48), the absorbing semiconductor layers of the LED die (12) are separated from the phosphor layer by a relatively thick glass plate (44) affixed to the LED die or by the LED die transparent growth substrate. Therefore, phosphor light emitted at a sufficient angle towards the LED die will pass through the transparent spacer (44) and exit the sidewalls of the spacer, preventing the light from being absorbed by the LED die. The LED die may be GaN based. The spacer is at least 100 microns thick. A 16% gain in light extraction is achievable using the technique compared to the light emission where phosphor is directly deposited on the LED semiconductor layers.
(FR)Selon l'invention, pour réduire une absorption par une puce de DEL (12) d'une lumière émise par une couche de phosphore (48), les couches semi-conductrices absorbantes de la puce de DEL (12) sont séparées de la couche de phosphore par une plaque de verre relativement épaisse (44) fixée à la puce de DEL ou par le substrat transparent de croissance de puce de DEL. Ainsi, une lumière de phosphore émise selon un angle suffisant en direction de la puce de DEL passera à travers le matériau tampon transparent (44) et sortira par les parois latérales de l'matériau tampon, ce qui évite que de la lumière ne soit absorbée par la puce de DEL. La puce de DEL peut être à base de GaN. Le matériau tampon présente une épaisseur d'au moins 100 microns. Un gain de 16 % en extraction lumineuse peut être obtenu à l'aide de la technique comparativement à l'émission lumineuse où du phosphore est directement déposé sur les couches semi-conductrices à DEL.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)