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1. (WO2014006503) DISPOSITIFS DIODES ESAKI À NANOFIL RADIAL ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/006503    N° de la demande internationale :    PCT/IB2013/001856
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 05.07.2013
CIB :
H01L 29/885 (2006.01), B82Y 10/00 (2011.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 31/0693 (2012.01)
Déposants : QUNANO AB [SE/SE]; Scheelevägen 17 Ideon Science Park S-223 70 Lund (SE)
Inventeurs : WERNERSSON, Lars-Erik; (SE).
LIND, Erik; (SE).
OHLSSON, Jonas; (SE).
SAMUELSON, Lars; (SE).
BJÖRK, Mikael; (SE).
THELANDER, Claes; (SE).
DEY, Anil; (SE)
Données relatives à la priorité :
61/668,777 06.07.2012 US
Titre (EN) RADIAL NANOWIRE ESAKI DIODE DEVICES AND METHODS
(FR) DISPOSITIFS DIODES ESAKI À NANOFIL RADIAL ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé : front page image
(EN)A radial nanowire Esaki diode device includes a semiconductor core of a first conductivity type and a semiconductor shell of a second conductivity type different from the first conductivity type. The device may be a TFET or a solar cell.
(FR)La présente invention concerne un dispositif diode Esaki à nanofil radial comprenant un noyau semi-conducteur d'un premier type de conductivité et une coque semi-conductrice d'un second type de conductivité différent du premier type de conductivité. Selon l'invention, le dispositif peut être un TEFT ou une cellule solaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)