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1. (WO2014006316) DÉTACHEMENT D'UNE COUCHE AUTOPORTÉE DE SILICIUM <100>
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/006316    N° de la demande internationale :    PCT/FR2013/051544
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 01.07.2013
CIB :
H01L 21/762 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" F-75015 Paris (FR)
Inventeurs : BRALEY, Carole; (FR).
MAZEN, Frédéric; (FR)
Mandataire : DELORME, Nicolas; CABINET GERMAIN & MAUREAU B.P.6153 F-69466 LYON Cedex 06 (FR)
Données relatives à la priorité :
12/56340 03.07.2012 FR
Titre (EN) DETACHMENT OF A SELF-SUPPORTING LAYER OF SILICON <100>
(FR) DÉTACHEMENT D'UNE COUCHE AUTOPORTÉE DE SILICIUM <100>
Abrégé : front page image
(EN)A method for detaching a self-supporting layer (4) of silicon crystalline orientation <100>, with a view, in particular, to applications in the photovoltaic field, characterised in that the method comprises the steps consisting of: a) Implanting ionic species in a substrate (1) of silicon crystalline orientation <100> so as to create a plane of weakness (2) in the implanted substrate (1), delimiting, on either side, a self-supporting layer (4) and a negative (5) of the substrate (1), and b) Applying a heat treatment to the implanted substrate (1) with a temperature ramp greater than 30°C/sec. so as to detach the self-supporting layer (4) of silicon.
(FR)Procédé de détachement de couche autoportée (4) de silicium d'orientation cristalline <100>, en vue notamment d'applications dans le domaine photovoltaïque, caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes consistant à: a)Implanter des espèces ioniques dans un substrat (1)de silicium d'orientation cristalline <100> de sorte à créer un plan de fragilisation (2) dans le substrat (1) implanté, délimitant de part et d'autre une couche autoportée (4) et un négatif (5) du substrat (1), et b)Appliquer un traitement thermique au substrat (1)implanté avec une rampe de température supérieure à 30°C/s de sorte à détacher la couche autoportée (4) de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)