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1. (WO2014005502) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CE DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/005502    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/078623
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 02.07.2013
CIB :
H01S 5/00 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : LIU, Yan [CN/CN]; (CN)
Inventeurs : LIU, Yan; (CN).
WU, Yu-Chao; (CN).
WU, Kuan-Chenf; (CN).
WANG, Ruei-Chin; (CN).
CHEN, Hauw-Ming; (CN)
Mandataire : LINDA LIU & PARTNERS; F16 Tower C, Beijing Global Trade Center 36 North Third Ring East Road, Dongcheng District Beijing 100013 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210227813.5 02.07.2012 CN
Titre (EN) LIGHT-EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CE DERNIER
(ZH) 发光元件及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)A light-emitting element and a manufacturing method therefor. The light-emitting element comprises: a substrate; a first conductive semiconductor layer located on the substrate; a light-emitting layer located on the front surface of the first conductive semiconductor layer; a second conductive semiconductor layer located on the front surface of the light-emitting layer; a positive electrode located on the front surface of the second conductive semiconductor layer; and a negative electrode, at least part of which is located on a side surface of the first conductive semiconductor layer. The light-emitting diode and the manufacturing method therefor, by forming a negative electrode on a side surface of a light-emitting element, effectively reduce the shading area of a conventional light-emitting element, and increase the current spreading efficiency; and at the same time, since there are few light-emitting layers which need to be etched for the formation of the negative electrode on the side surface, the light-emitting region is increased, and the light-emitting quality of the light-emitting element is improved.
(FR)La présente invention se rapporte à un élément électroluminescent et à un procédé de fabrication de ce dernier. L'élément électroluminescent comprend : un substrat; une première couche de semi-conducteur conductrice agencée sur le substrat; une couche électroluminescente agencée sur la surface avant de la première couche de semi-conducteur conductrice; une seconde couche de semi-conducteur conductrice agencée sur la surface avant de la couche électroluminescente; une électrode positive agencée sur la surface avant de la seconde couche de semi-conducteur conductrice; et une électrode négative dont au moins une partie est agencée sur une surface latérale de la première couche de semi-conducteur conductrice. La diode électroluminescente et le procédé de fabrication de cette dernière, par formation d'une électrode négative sur une surface latérale d'un élément électroluminescent, réduisent de manière efficace la zone d'ombrage d'un élément électroluminescent classique et augmentent l'efficacité de diffusion de courant; en outre, étant donné qu'il y a peu de couches électroluminescentes qui doivent être gravées pour permettre la formation de l'électrode négative sur la surface latérale, la région électroluminescente est accrue et la qualité d'électroluminescence de l'élément électroluminescent est améliorée.
(ZH)一种发光元件及其制作方法,该发光元件包括:基板;第一导电型半导体层,位于所述基板上;发光层,位于所述第一导电型半导体层的正面;第二导电型半导体层,位于所述发光层的正面;正电极,位于所述第二导电型半导体层的正面;以及负电极,至少部分位于所述第一导电型半导体层的侧面。所述发光二极管及其制作方法,通过把负电极形成于发光元件的侧面上,有效减少了传统发光元件的遮光面积,并且提高了电流散布效率;同时由于形成于侧面的负电极所需蚀刻掉的发光层较少,从而增加了发光区域,改善了发光元件的发光品质。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)