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1. (WO2014005395) SUBSTRAT DE MATRICE À TRANSISTORS EN COUCHES MINCES, ET PROCÉDÉ D'EXCITATION ET AFFICHEUR À CRISTAUX LIQUIDES ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/005395    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/085762
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 03.12.2012
CIB :
G02F 1/1362 (2006.01), G09G 3/36 (2006.01), G02F 1/133 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN).
BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.118 Jinghaiyilu, BDA Beijing 100176 (CN)
Inventeurs : ZHANG, Bin; (CN).
ZHANG, Liang; (CN).
HU, Weihao; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; A0601, Huibin Building, No.8 Beichen Dong Street Chaoyang District Beijing 100101 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210236108.1 06.07.2012 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE AS WELL AS DRIVING METHOD AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY THEREOF
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE À TRANSISTORS EN COUCHES MINCES, ET PROCÉDÉ D'EXCITATION ET AFFICHEUR À CRISTAUX LIQUIDES ASSOCIÉS
(ZH) 薄膜晶体管阵列基板及其驱动方法与液晶显示器
Abrégé : front page image
(EN)A thin film transistor array substrate as well as a driving method and a liquid crystal display thereof. The thin film transistor array substrate comprises at least one sub-pixel area formed by that one grid electrode line and a data line cross with each other. Each sub-pixel comprises: a first transistor (21), a grid electrode being connected to the grid electrode line, and a drain electrode being connected to the data line; a first storage capacitor (23), one end being connected to a source electrode of the first transistor (21), and the other end being connected to a reference voltage output end. At the same time, the sub-pixel further comprises: a second storage capacitor (24) and a second transistor (25). One end of the second storage capacitor (24) is connected to the source electrode of the first transistor (21), and the other end is connected to a drain electrode of the second transistor (25). A source electrode of the second transistor (25) is connected to the reference voltage output end, and a grid electrode of the second transistor is connected to an enable signal output end. Because each sub-pixel in the thin film transistor array substrate is respectively additionally provided with the second storage capacitor (24), capacitance of the storage capacitors displayed during static status display is increased, voltage conversion frequency during the static status display is lowered, and an effect on lowering the system power consumption is achieved.
(FR)La présente invention concerne un substrat de matrice à transistors en couches minces, ainsi qu'un procédé d'excitation et un afficheur à cristaux liquides associés. Le substrat de matrice à transistors en couches minces comprend au moins une zone de sous-pixel formée par le croisement d'une ligne d'électrode grille et d'une ligne de données. Chaque sous-pixel comporte un premier transistor (21), une électrode grille connectée à la ligne d'électrode grille, une électrode déversoir connectée à la ligne de données, ainsi qu'un premier condensateur de stockage (23), une extrémité de ce condensateur (23) étant connectée à une électrode source du premier transistor (21), et l'autre extrémité de ce condensateur (23) étant connectée à une extrémité de sortie de tension de référence. Le sous-pixel comporte en outre un second condensateur de stockage (24) et un second transistor (25). Une extrémité du second condensateur de stockage (24) est connectée à l'électrode source du premier transistor (21), et l'autre extrémité de ce condensateur (24) est connectée à une électrode déversoir du second transistor (25). Une électrode source du second transistor (25) est connectée à l'extrémité de sortie de tension de référence, et une électrode grille du second transistor est connectée à une extrémité de sortie de signal de validation. Puisque chaque sous-pixel dans le substrat de matrice à transistors en couches minces est en outre pourvu respectivement du second condensateur de stockage (24), la capacité des condensateurs de stockage lors d'un affichage statique augmente, la fréquence de conversion de tension lors de l'affichage statique est réduite, et la consommation d'énergie du système diminue.
(ZH)一种薄膜晶体管阵列基板及其驱动方法与液晶显示器,所述薄膜晶体管阵列基板包括至少一个由栅极线与数据线相互交叉形成的子像素区域,每个子像素包括栅极与栅极线连接且漏极与数据线连接的第一晶体管(21)、一端与第一晶体管(21)的源极相连且另一端与参考电压输出端相连的第一存储电容(23),同时,该子像素还包括第二存储电容(24)和第二晶体管(25),第二存储电容(24)的一端与第一晶体管(21)的源极相连、另一端与第二晶体管(25)的漏极相连,第二晶体管(25)的源极与参考电压输出端相连、栅极与使能信号输出端相连。由于该薄膜晶体管阵列基板中,各子像素均增加了第二存储电容(24),因而增大了静态显示时的存储电容的电容量,降低了静态显示时的电压转换频率,达到了降低了系统功耗的效果。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)