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1. (WO2014005379) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE DE TRANCHE GOI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/005379    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/081890
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 25.09.2012
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.865, Changning Road, Changning District Shanghai 200050 (CN) (Tous Sauf US).
DI, Zengfeng [CN/CN]; (CN) (US only).
YE, Lin [CN/CN]; (CN) (US only).
XUE, Zhongying [CN/CN]; (CN) (US only).
ZHANG, Miao [CN/CN]; (CN) (US only)
Inventeurs : DI, Zengfeng; (CN).
YE, Lin; (CN).
XUE, Zhongying; (CN).
ZHANG, Miao; (CN)
Mandataire : J.Z.M.C PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE; YU Mingwei, Room 5022, No.335 GUO Ding Road, YANG Pu district Shanghai 200433 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210225637.1  02.07.2012 CN
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING GOI WAFER STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE DE TRANCHE GOI
(ZH) 一种GOI晶片结构的制备方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for fabricating a GOI wafer structure, the method comprising: firstly utilizing Smart-Cut technology to fabricate an SGOI wafer structure, and then conducting germanium concentration on the SGOI wafer structure to obtain the GOI wafer structure. The SGOI fabricated by the Smart-Cut technology basically has no mismatching or dislocation on an SGOI/BOX interface, thus ultimately reducing the penetrating dislocation of the GOI. The present invention has a simple process, and can fabricate high quality GOI wafer structure, thus greatly improving germanium concentration technology. With ion injection technology and annealing technology both being highly mature processes in the current semi-conductor industry, the fabrication method greatly improves the possibility of widely applying germanium concentration in the semi-conductor industry.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de tranche GOI, le procédé comprenant : premièrement l'utilisation d'une technologie Smart-Cut pour fabriquer une structure de tranche SGOI, puis la réalisation d'une concentration de germanium sur la structure de tranche SGOI pour obtenir la structure de tranche GOI. La SGOI fabriquée par la technologie Smart-Cut n'a pratiquement aucune non correspondance ou dislocation sur une interface SGOI/BOX, ce qui réduit finalement la dislocation de pénétration de la GOI. La présente invention possède un processus simple, et peut fabriquer une structure de tranche GOI de haute qualité, ce qui améliore grandement la technologie de concentration de germanium. Avec une technologie d'injection d'ions et une technologie de recuit qui sont toutes les deux des traitements hautement matures dans l'industrie de semi-conducteurs actuelle, le procédé de fabrication améliore grandement la possibilité d'appliquer de manière large une concentration de germanium dans l'industrie des semi-conducteurs.
(ZH)本发明提供一种 GOI晶片结构的制备方法,该方法首先利用 Smart-Cut技术制作出 SGOI晶片结构,然后对 SGOI晶片结构进行锗浓缩,从而得到 GOI晶片结构。由于利用 Smart-Cut技术制作的 SGOI在 SGOI/BOX界面基本不存在失配位错,从而最终降低了 GOI 的穿透位错。本发明工艺简单,可实现高质量 GOI晶片结构,大大改进了锗浓缩技术,离子注入技术、退火技术在目前半导体行业都是非常成熟的工艺,该制备方法大大提高了锗浓缩在半导体工业界广泛应用的可能性。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)