WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014005373) STRUCTURE DE COMMANDE DE PUISSANCE D'UN ONDULEUR, D'UN CONTRÔLEUR ET D'UNE SERVOCOMMANDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/005373    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/081123
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 07.09.2012
CIB :
H05K 7/20 (2006.01), H02M 1/00 (2007.01)
Déposants : DAI, Jie [CN/CN]; (CN)
Inventeurs : DAI, Jie; (CN)
Mandataire : KEYCOM PARTNERS, P. C.; A-303 Peony Science & Technology Building No.2 Huayuan Road, Haidian District Beijing 100191 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210226974.2 03.07.2012 CN
Titre (EN) POWER DRIVE STRUCTURE OF INVERTER, CONTROLLER, AND SERVO DRIVE
(FR) STRUCTURE DE COMMANDE DE PUISSANCE D'UN ONDULEUR, D'UN CONTRÔLEUR ET D'UNE SERVOCOMMANDE
(ZH) 变频器、控制器和伺服驱动器的功率驱动结构
Abrégé : front page image
(EN)A power drive structure of an inverter, controller, and servo drive, comprising a drive control apparatus (3), an MOS transistor fix-mounting frame component (4), a positive electrode power transistor fix-mounting ring (6), and an external heat-dissipating base housing (7). An inner-ring MOS power transistor (3-2) and an outer-ring MOS power transistor (3-1) are arranged on the drive control apparatus (3), where the inner-ring MOS power transistor (3-2) and the outer-ring MOS power transistor (3-1) are symmetrically distributed in concentric circles having different diameters, where the positive electrode power transistor fix-mounting ring (6) is embedded between the inner-ring MOS power transistor (3-2) and the outer-ring MOS power transistor (3-1), and where the MOS transistor fix-mounting frame component (4) is sleeved into the inner-ring MOS power transistor (3-2). The drive structure is easy to remove, convenient to maintain, and at the same time is capable of reducing parasitic voltage.
(FR)La présente invention porte sur une structure de commande de puissance d'un onduleur, d'un contrôleur, et d'une servocommande, comprenant un appareil de commande de pilotage (3), un composant de cadre de montage fixe de transistor MOS (4), un anneau de montage fixe de transistor de puissance à électrode positive (6), et un boîtier de base à dissipation de chaleur externe (7). Un transistor de puissance MOS à l'intérieur de l'anneau (3—2) et un transistor de puissance MOS à l'extérieur de l'anneau (3-1) sont disposés sur l'appareil de commande de pilotage (3), le transistor de puissance MOS à l'intérieur de l'anneau (3-2) et le transistor de puissance MOS à l'extérieur de l'anneau (3-1) étant répartis de manière symétrique en cercles concentriques ayant des différents diamètres, l'anneau de montage fixe de transistor de puissance à électrode positive (6) étant intégré entre le transistor de puissance MOS à l'intérieur de l'anneau (3-2) et le transistor de puissance MOS à l'extérieur de l'anneau (3-1), et le composant de cadre de montage fixe de transistor MOS (4) étant chemisé dans le transistor de puissance MOS à l'intérieur de l'anneau (3-2). La structure de commande est facile à enlever, pratique à maintenir, et dans le même temps est apte à réduire une tension parasite.
(ZH)一种变频器、控制器和伺服驱动器的功率驱动结构,包括驱动控制装置(3),MOS管固定安装架组件(4)和正极功率管固定安装环(6),外部的散热座壳(7)。驱动控制装置(3)上设有内圈MOS功率管(3-2)及外圈MOS功率管(3-1),内圈MOS功率管(3-2)及外圈MOS功率管(3-1)以相同圆心,直径不同的圆对称分布,正极功率管固定安装环(6)嵌入内圈MOS功率管(3-2)及外圈MOS功率管(3-1)之间,MOS管固定安装架组件(4)套入内圈MOS功率管(3-2)内。该驱动结构便于拆卸,维修方便,同时可以减少寄生电压。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)