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1. (WO2014005185) PROCÉDÉS DE CONTRÔLE DE TRANCHES DE SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/005185    N° de la demande internationale :    PCT/AU2013/000731
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 05.07.2013
CIB :
G01N 21/64 (2006.01)
Déposants : BT IMAGING PTY LTD [AU/AU]; P.O. Box 3008 Redfern NSW 2016 (AU)
Inventeurs : TRUPKE, Thorsten; (AU).
WEBER, Juergen; (AU)
Données relatives à la priorité :
2012902891 06.07.2012 AU
Titre (EN) METHODS FOR INSPECTING SEMICONDUCTOR WAFERS
(FR) PROCÉDÉS DE CONTRÔLE DE TRANCHES DE SEMICONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Methods and systems are presented for analysing semiconductor materials as they progress along a production line, using photoluminescence images acquired using line- scanning techniques. The photoluminescence images can be analysed to obtain spatially resolved information on one or more properties of said material, such as lateral charge carrier transport, defects and the presence of cracks. In one preferred embodiment the methods and systems are used to obtain series resistance images of silicon photovoltaic cells without making electrical contact with the sample cell.
(FR)L'invention concerne des procédés et systèmes destinés à analyser des matériaux semiconducteurs tandis qu'ils avancent le long d'une ligne de production, en utilisant des images de photoluminescence acquises à l'aide de techniques de balayage linéaire. Les images de photoluminescence peuvent être analysées pour obtenir des informations résolues spatialement sur une ou plusieurs propriétés dudit matériau, comme le transfert latéral des porteurs de charges, les défauts et la présence de fissures. Dans un mode de réalisation préféré, les procédés et systèmes sont utilisés pour obtenir des images de résistance en série de cellules photovoltaïques au silicium sans établir de contact électrique avec la cellule-échantillon.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)