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1. (WO2014004749) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPRENANT DES PUCES À DIODE EN CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/004749    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/048022
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 27.06.2013
CIB :
H05K 7/00 (2006.01)
Déposants : SCHLUMBERGER CANADA LIMITED [CA/CA]; 525-3rd Avenue Southwest Calgary, Alberta T2P-0G4 (CA) (CA only).
SERVICES PETROLIERS SCHLUMBERGER [FR/FR]; 42 rue Saint Dominique F-75007 Paris (FR) (FR only).
SCHLUMBERGER HOLDINGS LIMITED [GB/GB]; P.O. Box 71, Craigmuir Chambers, Road Town Tortola, Virgin Islands, British, 1110 (VG) (GB, JP, NL only).
SCHLUMBERGER TECHNOLOGY B.V. [NL/NL]; Parkstraat 83-89m NL-2514 JG The Hague (NL) (AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, ZA, ZM, ZW only).
PRAD RESEARCH AND DEVELOPMENT LIMITED [GB/GB]; P.O. Box 71, Craigmuir Chambers, Road Town Tortola, Virgin Island, British, 1110 (VG) (AE, AO, BF, BH, BJ, BW, CF, CG, CI, CM, CN, GA, GH, GM, GN, GQ, GW, IN, KE, KM, LR, LS, LY, MA, ML, MR, MW, MZ, NA, NE, NG, PH, RW, SD, SL, SN, SY, SZ, TD, TG, TZ, UG, VN, ZM, ZW only).
SCHLUMBERGER TECHNOLOGY CORPORATION [US/US]; 300 Schlumberger Drive, Sugar Land, Texas 77478 (US) (US only)
Inventeurs : PERKINS, Luke; (US)
Mandataire : BERMAN, Jeremy; 10001 Richmond Avenue IP Administration Center of Excellence Room 4720 Houston, Texas 77042 (US)
Données relatives à la priorité :
13/535,025 27.06.2012 US
Titre (EN) ELECTRONIC DEVICE INCLUDING SILICON CARBIDE DIODE DIES
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPRENANT DES PUCES À DIODE EN CARBURE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)An electronic device may include an elongated dielectric substrate having opposing first and second ends, a plurality of conductive pads longitudinally spaced apart along the elongated dielectric substrate, and a plurality of silicon carbide (SiC) (e.g., PiN) diode dies. Each SiC die may have bottom and top diode terminals and may be mounted on a respective conductive pad with the bottom diode terminal in contact therewith. The electronic device may further include at least one internal wirebond between the corresponding conductive pad of one SiC diode die and the top diode terminal of a next SiC diode die, a first external lead electrically coupled to the top diode terminal of a first SiC die and extending longitudinally outwardly from the first end, and a second external lead electrically coupled to the corresponding contact pad of a last SiC diode die and extending longitudinally outwardly from the second end.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif électronique qui peut comprendre un substrat diélectrique allongé qui comporte des première et seconde extrémités opposées, une pluralité de plages de connexion conductrices espacées longitudinalement le long du substrat diélectrique allongé et une pluralité de puces à diode en carbure de silicium (SiC) (par exemple, PiN). Chaque puce en SiC peut comprendre des bornes de diode inférieure et supérieure et peuvent être montées sur une plage de connexion conductrice respective, la borne de diode inférieure étant en contact avec cette dernière. Le dispositif électronique peut en outre comprendre au moins une soudure de fils interne entre la plage de connexion conductrice correspondante d'une puce à diode en SiC et la borne de diode supérieure d'une prochaine puce à diode en SiC, un premier fil externe couplé électriquement à la borne de diode supérieure d'une première puce en SiC et qui s'étend longitudinalement vers l'extérieur depuis la première extrémité, et un second fil externe couplé électriquement à la plage de contact correspondante d'une dernière puce à diode en SiC et qui s'étend longitudinalement vers l'extérieur depuis la seconde extrémité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)