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1. (WO2014004722) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR UNE COMMUTATION DE DRAIN AVEC UNE BOUCLE DE RÉPLICATION POUR UN TEMPS D'ALLUMAGE DE DEL RAPIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/004722    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/047980
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 26.06.2013
CIB :
H03K 17/06 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International Ip Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US)
Inventeurs : GUAN, Hua; (US).
ZEISEL, Eric B.; (US).
LOU, Qi; (US)
Mandataire : HOOKS, William M.; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, Califonia 92121 (US)
Données relatives à la priorité :
13/535,015 27.06.2012 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR DRAIN SWITCHING WITH REPLICATION LOOP FOR FAST LED TURN ON TIME
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR UNE COMMUTATION DE DRAIN AVEC UNE BOUCLE DE RÉPLICATION POUR UN TEMPS D'ALLUMAGE DE DEL RAPIDE
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for current drain switching with a replica loop. The method comprises the steps of: matching a voltage across a current sense resistor with a voltage created by a reference current across a matched reference resistor; replicating an operating point of an output transistor using a scaled matched replica of the output transistor and the current sense resistor. The method then shifts a feedback voltage from the output sense resistor to the matched replica sensor and shifts the output of a gate from an output transistor to the replica transistor. A first switch is then actuated in order to preserve the gate charge of the output transistor. A second switch is actuated to sample and hold a drain voltage in the buffer in order to bias the drain of the replica transistor. The third switch is then activated to stop the output current.
(FR)La présente invention porte sur un procédé et un appareil pour une commutation de drain de courant avec une boucle de réplique. Le procédé comprend les étapes suivantes : l'adaptation d'une tension sur une résistance de détection de courant avec une tension créée par un courant de référence à travers une résistance de référence adaptée ; la réplication d'un point de fonctionnement d'un transistor de sortie en utilisant une réplique adaptée mise à l'échelle du transistor de sortie et de la résistance de détection de courant. Le procédé déplace ensuite une tension de rétroaction de la résistance de détection de sortie vers le capteur de réplique adapté et déplace la sortie d'une grille d'un transistor de sortie vers le transistor de réplique. Un premier commutateur est ensuite actionné afin de préserver la charge de grille du transistor de sortie. Un second commutateur est actionné pour échantillonner et mémoriser une tension de drain dans le tampon afin de polariser le drain du transistor de réplique. Le troisième commutateur est ensuite activé pour arrêter le courant de sortie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)