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1. (WO2014004679) SOURCES DE LUMIÈRE À LARGE BANDE À BASE DE DIODES LASER POUR OUTILS D'INSPECTION DE PLAQUETTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/004679    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/047901
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 26.06.2013
CIB :
H01L 21/66 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
Déposants : KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; KLA-Tencor Corp. Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035 (US)
Inventeurs : CHIMMALGI, Anant; (US).
VORA, Younus; (US).
BRUNNER, Rudolf; (US)
Mandataire : MCANDREWS, Kevin; KLA-Tencor Corp. Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035 (US)
Données relatives à la priorité :
61/664,493 26.06.2012 US
13/924,216 21.06.2013 US
Titre (EN) DIODE LASER BASED BROAD BAND LIGHT SOURCES FOR WAFER INSPECTION TOOLS
(FR) SOURCES DE LUMIÈRE À LARGE BANDE À BASE DE DIODES LASER POUR OUTILS D'INSPECTION DE PLAQUETTES
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are methods and apparatus for performing inspection or metrology of a semiconductor device. The apparatus includes a plurality of laser diode arrays that are configurable to provide an incident beam having different wavelength ranges. The apparatus also includes optics for directing the incident beam towards the sample, a detector for generating an output signal or image based on an output beam emanating from the sample in response to the incident beam, and optics for directing the output beam towards the detector. The apparatus further includes a controller for configuring the laser diode arrays to provide the incident beam at the different wavelength ranges and detecting defects or characterizing a feature of the sample based on the output signal or image.
(FR)L'invention concerne des procédés et un appareil permettant d'effectuer l'inspection ou la métrologie d'un dispositif semi-conducteur. L'appareil comprend une pluralité de matrices de diodes laser qui sont configurables pour produire un faisceau incident ayant des plages de longueurs d'ondes différentes. L'appareil comprend aussi des optiques permettant de diriger le faisceau incident vers l'échantillon, un détecteur permettant de générer un signal ou une image de sortie sur la base d'un faisceau de sortie émanant de l'échantillon en réponse au faisceau incident, et des optiques permettant de diriger le faisceau de sortie vers le détecteur. L'appareil comprend en outre un système de commande permettant de configurer les matrices de diodes laser pour produire le faisceau incident aux plages de longueurs d'ondes différentes et de détecter les défauts ou de caractériser un attribut de l'échantillon sur la base du signal ou de l'image de sortie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)