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1. (WO2014004669) CIBLES DE RECOUVREMENT PAR DIFFUSIOMÉTRIE DE TYPE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/004669    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/047887
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 26.06.2013
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Kla-tencor Corporation Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035 (US)
Inventeurs : LEVINSKI, Vladimir; (IL).
KANDEL, Daniel; (IL).
AMIT, Eran; (IL)
Mandataire : MCANDREWS, Kevin; Kla-tencor Corp. Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035 (US)
Données relatives à la priorité :
61/664,453 26.06.2012 US
61/792,674 15.03.2013 US
13/904,318 29.05.2013 US
Titre (EN) DEVICE-LIKE SCATTEROMETRY OVERLAY TARGETS
(FR) CIBLES DE RECOUVREMENT PAR DIFFUSIOMÉTRIE DE TYPE DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN)In one embodiment, a semiconductor target for detecting overlay error between two or more successive layers of a substrate or between two or more separately generated patterns on a single layer of a substrate is disclosed. The target comprises at least a plurality of a plurality of first grating structures having a course pitch that is resolvable by an inspection tool and a plurality of second grating structures positioned relative to the first grating structures. The second grating structures have a fine pitch that is smaller than the course pitch, and the first and second grating structures are both formed in two or more successive layers of a substrate or between two or more separately generated patterns on a single layer of a substrate. The first and second gratings have feature dimensions that all comply with a predefined design rules specification.
(FR)Dans un mode de réalisation, l'invention concerne une cible semi-conductrice permettant de détecter une erreur de recouvrement entre deux couches successives ou plus d'un substrat ou entre deux motifs générés séparément ou plus sur une seule couche d'un substrat. La cible comprend au moins une pluralité d'une pluralité de premières structures de grillage ayant un pas de course qui est séparable au moyen d'un outil d'inspection et une pluralité de secondes structures de grillage positionnées par rapport aux premières structures de grillage. Les secondes structures de grillage ont un pas fin qui est inférieur au pas de course, et les premières et secondes structures de grillage sont toutes deux formées dans deux couches successives ou plus d'un substrat ou entre deux motifs générés séparément ou plus sur une seule couche d'un substrat. Les premiers et seconds grillages ont des dimensions d'attributs qui se conforment toutes à une spécification de règles de dessin prédéfinie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)