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1. (WO2014004469) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ORGANIQUE GONDOLÉE POUR UNE EXTRACTION DE LUMIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/004469    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/047562
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 25.06.2013
CIB :
H01L 51/52 (2006.01), H01L 51/56 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC. [US/US]; 223 Grinter Hall Gainesville, FL 3261 1 (US)
Inventeurs : SO, Franky; (US).
KOO, Wonhoe; (US)
Mandataire : WALSH, Edmund, J.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C. 600 Atlantic Avenue Boston, MA 02210-2206 (US)
Données relatives à la priorité :
61/663.860 25.06.2012 US
Titre (EN) BUCKLED ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE FOR LIGHT EXTRACTION
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ORGANIQUE GONDOLÉE POUR UNE EXTRACTION DE LUMIÈRE
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the invention are directed to a layered organic light emitting diode (OLED) device comprising a buckled structure that provides an improved light output relative to flat OLED devices. The buckled structure has a fine buckling with a quasi- periodicity of 100 to 700 nm and a gross buckling of 10 to 20 μm. Embodiments of the invention are directed to a method of producing the OLED device comprising a buckled structure, where a transparent substrate is coated with a transparent elastomeric layer, upon which a thin metal layer of 20 to 100 nm is deposited at an elevated temperature. Upon cooling to ambient temperature, the metal layer buckles with the formation of a fine buckling with a quasi-periodicity of 100 to 700 nm and a gross buckling of 10 to 20 μm. The metal layer is oxidized to a transparent metal oxide layer with the retention of the buckling. Subsequent steps comprising deposition of at least an anode layer, an electroluminescence layer, and a cathode layer forms an OLED that has a buckling structure resulting from the buckled metal structure formed upon cooling.
(FR)Des modes de réalisation de l'invention se rapportent à un dispositif de diode électroluminescente organique (OLED) à couches qui comprend une structure gondolée qui procure un rendement lumineux amélioré par rapport à des dispositifs OLED plats. La structure gondolée présente un gondolage fin avec une quasi-périodicité comprise entre 100 nm et 700 nm et un gondolage grossier compris entre 10 µm et 20 μm. Des modes de réalisation de l'invention se rapportent à un procédé destiné à produire le dispositif OLED qui comprend une structure gondolée, où un substrat transparent est revêtu d'une couche élastomère transparente, sur laquelle une couche métallique mince qui présente une épaisseur comprise entre 20 nm et 100 nm est déposée à une température élevée. Lors du refroidissement à la température ambiante, la couche métallique se gondole avec la formation d'un gondolage fin avec une quasi-périodicité comprise entre 100 nm et 700 nm et un gondolage grossier compris entre 10 µm et 20 μm. La couche métallique est oxydée de façon à obtenir une couche d'oxyde métallique transparente avec la conservation du gondolage. Des étapes ultérieures qui comprennent le dépôt d'au moins une couche d'anode, une couche électroluminescente et une couche de cathode, permettent de former un OLED qui présente une structure gondolée qui résulte de la structure métallique gondolée formée lors du refroidissement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)