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1. (WO2014004426) CELLULES SOLAIRES À HAUT RENDEMENT FABRIQUÉES PAR PECVD PEU COÛTEUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/004426    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/047475
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 25.06.2013
CIB :
H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US)
Inventeurs : FOGEL, Keith, E.; (US).
HONG, Augustin, J.; (US).
KIM, Jeehwan; (US).
SADANA, Devendra, K.; (US)
Mandataire : BITETTO, James, J.; Tutunjian & Bitetto, P.C. 425 Broadhollow Road, Suite 302 Melville, NY 11747 (US)
Données relatives à la priorité :
13/535,812 28.06.2012 US
Titre (EN) HIGH EFFICIENCY SOLAR CELLS FABRICATED BY INEXPENSIVE PECVD
(FR) CELLULES SOLAIRES À HAUT RENDEMENT FABRIQUÉES PAR PECVD PEU COÛTEUX
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming a photovoltaic device includes depositing (302) one or more layers of a photovoltaic stack on a substrate by employing a high deposition rate plasma enhanced chemical vapor deposition (HDR PECVD) process, Contacts are formed (306) on the photovoltaic stack to provide a photovoltaic cell. Annealing (310) is perfomied on the photovoltaic cell at a temperature and duration configured to improve overall performance.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'un dispositif photovoltaïque faisant appel au dépôt (302) d'une ou de plusieurs couches d'un empilement photovoltaïque sur un substrat par un traitement de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma à taux élevé de dépôt (HDR PECVD), des contacts étant formés (306) sur l'empilement photovoltaïque dans le but d'obtenir une cellule photovoltaïque. Selon l'invention, on effectue un recuit (310) de la cellule photovoltaïque à une température et pendant une durée étudiées pour améliorer la performance d'ensemble.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)