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1. (WO2014004395) AMPLIFICATEUR DE DÉTECTION À HAUTE VITESSE COMPACT POUR MÉMOIRE NON VOLATILE AVEC ZONE DE TOPOLOGIE ET CONSOMMATION D'ÉNERGIE RÉDUITES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/004395    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/047382
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 24.06.2013
CIB :
G11C 7/06 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01), G11C 16/26 (2006.01), G11C 16/34 (2006.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES INC. [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 (US)
Inventeurs : MUI, Man Lung; (US).
PARK, Jongmin; (US).
NGUYEN, Hao Thai; (US).
LEE, Seungpil; (US)
Mandataire : CLEVELAND, Michael G.; Davis Wright Tremaine LLP 505 Montgomery Street, Suite 800 San Francisco, California 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
13/536,758 28.06.2012 US
13/605,424 06.09.2012 US
Titre (EN) COMPACT HIGH SPEED SENSE AMPLIFIER FOR NON-VOLATILE MEMORY WITH REDUCED LAYOUT AREA AND POWER CONSUMPTION
(FR) AMPLIFICATEUR DE DÉTECTION À HAUTE VITESSE COMPACT POUR MÉMOIRE NON VOLATILE AVEC ZONE DE TOPOLOGIE ET CONSOMMATION D'ÉNERGIE RÉDUITES
Abrégé : front page image
(EN)A compact and versatile high speed sense amplifier suitable for use in non-volatile memory circuits is presented. The sense amp circuit is connected to first and second supply levels, a first level used for setting a program inhibit level on bit lines and a second level used for pre-charging bit lines for sensing operation. Outside of a data latch, the sense amp can employ only NMOS transistors. The arrangement of the circuit also allows for the discharging the bit line at the same time as transfers the sensing result out to other latches.
(FR)La présente invention porte sur un amplificateur de détection à haute vitesse compact et polyvalent adapté pour une utilisation dans des circuits de mémoire non volatile. Le circuit amplificateur de détection est connecté à des premier et second niveaux d'alimentation, un premier niveau utilisé pour régler un niveau d'inhibition de programmation sur des lignes de bits et un second niveau utilisé pour précharger des lignes de bits pour une opération de détection. En dehors d'un verrou de données, l'amplificateur de détection peut utiliser seulement des transistors NMOS. L'agencement du circuit permet également le déchargement de la ligne de bits en même temps que le transfert du résultat de détection vers d'autres verrous.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)