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1. (WO2014003755) MÉMOIRE MULTINIVEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/003755    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/044575
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 28.06.2012
CIB :
G11C 7/10 (2006.01), G11C 16/06 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 11445 Compaq Center Drive W. Houston, Texas 77070 (US) (Tous Sauf US).
MURALIMANOHAR, Naveen [IN/US]; (US) (US Seulement).
YOON, Han Bin [KR/US]; (US) (US Seulement).
JOUPPI, Norman Paul [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MURALIMANOHAR, Naveen; (US).
YOON, Han Bin; (US).
JOUPPI, Norman Paul; (US)
Mandataire : CHANG, Marcia Ramos; Hewlett-Packard Company Intellectual Property Administration 3404 E. Harmony Road Mail Stop 35 Fort Collins, Colorado 80528 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MULTI-LEVEL CELL MEMORY
(FR) MÉMOIRE MULTINIVEAU
Abrégé : front page image
(EN)A multi-level cell memory includes a memory cell that stores two or more bits of information; a sensing circuit coupled to the memory cell; and a row buffer structure comprising a split page buffer having a first page buffer and a second page buffer. The sensing circuit operates to read from and write to the memory device, places a first bit in one of the first page buffer and the second page buffer, and places the second bit in one of the first page buffer and the second page buffer.
(FR)L'invention concerne une mémoire multiniveau comprenant une cellule mémoire qui stocke au moins deux bits d'information ; un circuit de détection couplé à la cellule mémoire ; et une structure de mémoire tampon de lignes comprenant un tampon de pages segmenté présentant un premier tampon de pages et un second tampon de pages. Le circuit de détection assure la lecture et l'écriture dans la mémoire, place un premier bit dans le premier et/ou le second tampon de pages et place le second bit dans le premier et/ou le second tampon de pages.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)