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1. (WO2014003524) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/003524    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/005831
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 01.07.2013
CIB :
H01L 33/04 (2010.01), H01L 33/06 (2010.01)
Déposants : INTELLECTUAL DISCOVERY CO., LTD. [KR/KR]; F10, 511, Samseong-ro, Gangnam-gu, Seoul 135-745 (KR)
Inventeurs : AHN, Do-Yeol; (KR)
Mandataire : C.M. PATENT & FIRM; (MK Bldg., Yeoksam-dong) 2F 39, Teheran-ro 25-gil Gangnam-gu Seoul 135-909 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0070835 29.06.2012 KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS
(KO) 반도체 발광 디바이스
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor light-emitting device which is capable of improving light-emitting efficiency. The semiconductor light-emitting device comprises an n-type semiconductor layer, a quantum well layer, a barrier layer and a p-type semiconductor layer. The quantum well layer is formed above the n-type semiconductor layer. The barrier layer is formed above the quantum well layer. The p-type semiconductor layer is formed above the barrier layer. At this point, at least one p-type delta doping layer is formed on the barrier layer.
(FR)L'invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs qui apte à améliorer une efficacité d'émission lumineuse. Le dispositif électroluminescent semi-conducteur comprend une couche de semi-conducteur de type n, une couche de puits quantique, une couche barrière et une couche de semi-conducteur de type p. La couche de puits quantique est formée au-dessus de la couche de semi-conducteur de type n. La couche barrière est formée au-dessus de la couche de puits quantique. La couche de semi-conducteur de type p est formée au-dessus de la couche barrière. A ce moment-là, au moins une couche de dopage delta de type p est formée sur la couche barrière.
(KO)발광 효율을 향상시킬 수 있는 반도체 발광 디바이스가 개시된다. 이러한 반도체 발광 디바이스는, 반도체 발광 디바이스들은, n-형 반도체층, 양자 우물층, 배리어층 및 p-형 반도체층을 포함한다. 상기 양자 우물층은, 상기 n-형 반도체층 상부에 형성된다. 상기 배리어층은 상기 양자 우물층 상부에 형성된다. 상기 p-형 반도체층은 상기 배리어층 상부에 형성된다. 이때, 상기 배리어층에는, 하나 이상의 p-형 델타 도핑층이 형성된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)