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1. (WO2014003402) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT EN UV PROCHES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/003402    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/005576
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 25.06.2013
CIB :
H01L 33/04 (2010.01), H01L 33/06 (2010.01)
Déposants : SEOUL VIOSYS CO., LTD. [KR/KR]; 1B-36, 727-5, Wonsi-dong, Danwon-gu, Ansan-si Gyeonggi-do 425-851 (KR)
Inventeurs : HAN, Chang Suk; (KR).
KIM, Hwa Mok; (KR).
CHOI, Hyo Shik; (KR).
KO, Mi So; (KR).
LEE, A Ram Cha; (KR).
HWANG, Jung Hwan; (KR)
Mandataire : AIP PATENT & LAW FIRM; 30-1, Teheran-ro 14-gil Gangnam-gu Seoul 135-935 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0069781 28.06.2012 KR
Titre (EN) NEAR UV LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT EN UV PROCHES
Abrégé : front page image
(EN)A near ultraviolet light emitting device is disclosed. The light emitting device includes an n-type contact layer including a gallium nitride layer, a p-type contact layer including a gallium nitride layer, and an active region of a multiple quantum well structure disposed between the n-type contact layer and the p-type contact layer, wherein the active region emits near ultraviolet light in a wavelength range from 360 nm to 390 nm.
(FR)L'invention concerne un dispositif électroluminescent en ultraviolets proches. Le dispositif électroluminescent comprend une couche de contact de type n comprenant une couche de nitrure de gallium, une couche de contact de type p comprenant une couche de nitrure de gallium, et une zone active d'une structure à puits quantiques multiples disposée entre la couche de contact de type n et la couche de contact de type p, la zone active émettant de la lumière en ultraviolets proches dans une plage de longueurs d'ondes comprise entre 360 nm et 390 nm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)