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1. (WO2014003396) DISPOSITIF DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE VERTICALE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/003396    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/005570
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 25.06.2013
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01)
Déposants : INTELLECTUAL DISCOVERY CO., LTD. [KR/KR]; 10F Golden tower Bldg. 144-17 Samsung-dong Gangnam-gu Seoul 135-745 (KR)
Inventeurs : HWANG, Hyun-Sang; (KR)
Mandataire : YOU ME PATENT AND LAW FIRM; Seolim Bldg., 649-10 Yoksam-dong Kangnam-ku Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0069610 28.06.2012 KR
10-2012-0069609 28.06.2012 KR
10-2012-0069608 28.06.2012 KR
10-2012-0083571 31.07.2012 KR
10-2012-0083570 31.07.2012 KR
Titre (EN) VERTICAL RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE VERTICALE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 수직형 저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a resistive random access memory device and to a method for manufacturing same. The resistive random access memory device of the present invention comprises: a plurality of horizontal electrodes stacked with a predetermined spacing therebetween and extending in a horizontal direction; interlayer insulation films formed among the plurality of horizontal electrodes; a plurality of vertical electrodes penetrating through the plurality of stacked horizontal electrodes and the interlayer insulation films in the vertical direction so as to form points of intersection with the horizontal electrodes; and metal oxide films formed between the interlayer insulation films and the horizontal electrodes such that the U-shaped cross-section thereof surrounds the horizontal electrodes, said metal oxide films having surfaces that contact the vertical electrodes, said surfaces being treated with oxygen such that the oxygen composition ratio of the surfaces contacting the vertical electrodes is higher than the oxygen composition ratio of the surfaces contacting the horizontal electrodes, thus enabling the metal oxide films to have threshold switching characteristics and memory switching characteristics.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de mémoire vive résistive et son procédé de fabrication. Le dispositif de mémoire vive résistive selon la présente invention comprend : une pluralité d'électrodes horizontales empilées avec un écartement préétabli entre elles et s'étendant dans une direction horizontale ; des pellicules d'isolation intercouche formées parmi la pluralité d'électrodes horizontales ; une pluralité d'électrodes verticales pénétrant à travers la pluralité d'électrodes horizontales empilées et les pellicules d'isolation intercouche dans la direction verticale de manière à former des points d'intersection avec les électrodes horizontales ; et des pellicules d'oxyde de métal formées entre les pellicules d'isolation intercouche et les électrodes horizontales de sorte que leur section transversale en forme de U entoure les électrodes horizontales, lesdites pellicules d'oxyde de métal ayant des surfaces qui sont en contact avec les électrodes verticales, lesdites surfaces étant traitées à l'oxygène de sorte que le ratio de composition en oxygène des surfaces en contact avec les électrodes verticales est supérieur au ratio de composition en oxygène des surfaces en contact avec les électrodes horizontales, permettant ainsi aux pellicules d'oxyde de métal d'avoir des caractéristiques de commutation de seuil et des caractéristiques de commutation de mémoire.
(KO)본 발명은 저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 서로 일정 간격을 두고 적층되고 수평 방향으로 연장된 복수의 수평 전극; 복수의 수평 전극들 사이에 각각 형성된 층간 절연막; 적층된 복수의 수평 전극들과 층간 절연막들을 수직 방향에서 관통하여 수평 전극과 교차점을 갖도록 형성되는 복수의 수직 전극; 및 층간 절연막과 수평 전극 사이에서 수평 전극을 감싸는 형태로 그 단면이 U형을 갖도록 형성되고, 수직 전극과 접하는 면이 산소 처리되어 수직 전극과 접하는 면의 산소 조성비가 수평 전극과 접하는 면의 산소 조성비보다 높도록 형성되어 문턱 스위칭 특성과 메모리 스위칭 특성을 갖도록 형성된 금속 산화물막을 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)