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1. (WO2014003388) MÉMOIRE FLEXIBLE TRANSPARENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/003388    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/005546
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 25.06.2013
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01)
Déposants : INTELLECTUAL DISCOVERY CO., LTD. [KR/KR]; 10F Golden tower Bldg. 144-17 Samsung-dong Gangnam-gu Seoul 135-745 (KR)
Inventeurs : YOON, Sung-Min; (KR)
Mandataire : YOU ME PATENT AND LAW FIRM; Seolim Bldg., 649-10, Yoksam-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0067780 25.06.2012 KR
10-2012-0067781 25.06.2012 KR
10-2012-0067782 25.06.2012 KR
Titre (EN) TRANSPARENT FLEXIBLE MEMORY
(FR) MÉMOIRE FLEXIBLE TRANSPARENTE
(KO) 투명 유연 메모리
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a non-volatile memory cell in which an oxide semiconductor thin film transistor and a double-layer charge accumulation layer are used to produce a transparent and flexible memory device. The non-volatile memory cell comprises: a transparent substrate; an oxide semiconductor transistor formed on the transparent substrate and consisting of an oxide semiconductor layer and a gate electrode, the oxide semiconductor layer being made of an oxide semiconductor material and having a channel-forming region; and a charge accumulation layer formed as a double-layer structure on the gate insulation layer formed between the gate electrode and the oxide semiconductor layer, wherein at least one of the two layers is made of a material the conductivity of which is lower than that of the other layer so as to accumulate an electric charge.
(FR)La présente invention concerne une cellule mémoire non volatile dans laquelle un transistor à couche mince à semi-conducteur oxyde et une couche d'accumulation de charge double couche sont utilisés pour produire un dispositif mémoire transparent et flexible. La cellule mémoire non volatile comprend : un substrat transparent ; un transistor semi-conducteur oxyde formé sur le substrat transparent et constitué d'une couche semi-conductrice d'oxyde et d'une électrode de grille, la couche semi-conductrice d'oxyde étant constituée d'un matériau semi-conducteur oxyde et ayant une zone formant un canal ; et une couche d'accumulation de charge formée comme une structure double couche sur la couche d'isolation de grille formée entre l'électrode de grille et la couche semi-conductrice d'oxyde, au moins l'une des deux couches étant constituée d'un matériau dont la conductivité est inférieure à celle de l'autre couche afin d'accumuler une charge électrique.
(KO)본 발명은 산화물 반도체 박막 트랜지스터와 복층의 전하 축적층을 이용하여 투명하면서도 유연한 메모리 소자를 구현할 수 있는 비휘발성 메모리 셀에 관한 것으로, 투명한 기판; 상기 투명한 기판 상에 형성되고 산화물 반도체 물질을 이용하고 채널 형성 영역을 가지는 산화물 반도체층과 게이트 전극으로 구성되는 산화물 반도체 트랜지스터; 및 상기 게이트 전극과 상기 산화물 반도체층 사이의 게이트 절연층 상에 복층 구조로 형성되고, 상기 복층 중 적어도 하나의 층은 다른 층에 비해 도전성이 낮은 물질로 구성되어 전하를 축적하는 전하 축적층을 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)