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1. (WO2014003169) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/003169    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/067821
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 28.06.2013
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.04.2014    
CIB :
H01L 33/46 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01)
Déposants : DAIICHI JITSUGYO CO., LTD. [JP/JP]; 11-19, Nibancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020084 (JP)
Inventeurs : NAGATA, Hisao; (JP).
TANIFUJI, Ryoichi; (JP)
Mandataire : SAMEJIMA, Mutsumi; AOYAMA & PARTNERS, Umeda Hankyu Bldg. Office Tower, 8-1, Kakuda-cho, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300017 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-147374 29.06.2012 JP
Titre (EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光半導体素子およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This optical semiconductor element is provided with a sapphire substrate, an n-type GaN layer, a light emitting layer, a p-type GaN layer, and a surface electrode in this order. The optical semiconductor element includes: a plurality of through holes formed in the surface electrode such that the p-type GaN layer is exposed; and a plurality of optical waveguides, each of which is formed of a light transmitting material, and each of which has a main body portion, which is contained in each of the through holes, and which is in contact with the p-type GaN layer, and an exposed portion, which is provided with a tilted surface that is tilted with respect to the light emitting layer, and which is exposed to the outside.
(FR)Le présent élément semi-conducteur optique comporte un substrat de saphir, une couche de GaN de type n, une couche électroluminescente, une couche de GaN de type p et une électrode de surface dans cet ordre. L'élément semi-conducteur optique comprend : une pluralité de trous traversants formés dans l'électrode de surface de sorte que la couche de GaN de type p est découverte; et une pluralité de guides d'ondes optiques, dont chacun est formé d'un matériau transmetteur de lumière, et dont chacun a une partie de corps principal, laquelle est contenue dans chacun des trous traversants, et laquelle est en contact avec la couche de GaN de type p, et une partie exposée, laquelle comporte une surface inclinée qui est inclinée par rapport à la couche électroluminescente et est exposée à l'extérieur.
(JA) サファイア基板、n型GaN層、発光層、p型GaN層、および表面電極を順に備える光半導体素子であって、p型GaN層が露出するように表面電極に形成された複数の貫通孔と、複数の貫通孔それぞれに収容されてp型GaN層と接触する本体部および発光層に対して傾斜する傾斜面を備えて外部に露出する露出部を有し、光透過性材料から作製された複数の光導波路と、を含んでいる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)