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1. (WO2014003110) MONOCRISTAL DE DIAMANT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET OUTIL DE DIAMANT MONOCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/003110    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/067632
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 27.06.2013
CIB :
C30B 29/04 (2006.01), C01B 31/06 (2006.01), C23C 16/27 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventeurs : UEDA, Akihiko; (JP).
NISHIBAYASHI, Yoshiki; (JP).
SUMIYA, Hitoshi; (JP)
Mandataire : SAKAI, Masami; Akasaka Office Heights, 13-5, Akasaka 4-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-146444 29.06.2012 JP
2012-152485 06.07.2012 JP
2012-152503 06.07.2012 JP
Titre (EN) DIAMOND SINGLE CRYSTAL AND PRODUCTION METHOD THEREOF, AND SINGLE CRYSTAL DIAMOND TOOL
(FR) MONOCRISTAL DE DIAMANT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET OUTIL DE DIAMANT MONOCRISTALLIN
(JA) ダイヤモンド単結晶及びその製造方法並びに単結晶ダイヤモンド工具
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is a diamond single crystal synthesised by chemical vapour synthesis, having an absorption co-efficient of 25-80cm-1 inclusive for light having a wavelength of 350nm. In addition, the production method of the diamond single crystal comprises: a step for reducing transmissivity for light having a wavelength of 800nm by implanting non carbon ions into the principal surface of a diamond single crystal seed substrate, said principal surface being a surface within a 7º off angle from the (100) surface; and a step for homoepitaxial growth of diamond single crystals by chemical vapour synthesis on the principal surface of the seed substrate. The principal surface is implanted with ions under synthesis conditions in which: the ratio NC/NH, where NC is the number of vapour-phase molecules containing carbon and NH is the number of hydrogen molecules, is 10-40% inclusive; the ratio NN/NC, where NN is the number of nitrogen molecules and NC is the number of molecules containing carbon, is 0.1-10% inclusive; and the seed substrate temperature (T) is 850ºC or higher but lower than 1000ºC.
(FR)La présente invention concerne un monocristal de diamant synthétisé par une synthèse chimique en phase vapeur, ayant un coefficient d'absorption de 25-80 cm-1 inclus pour une lumière ayant une longueur d'onde de 350 nm. De plus, le procédé de fabrication du monocristal de diamant comprend : une étape de réduction de la transmissivité pour la lumière ayant une longueur d'onde de 800 nm par implantation d'ions non carbone dans la surface principale d'un substrat de germe de monocristal de diamant, ladite surface principale étant une surface à l'intérieur d'un angle de décalage de 7° à partir de la surface (100) ; et une étape de croissance homoépitaxiale de monocristaux de diamant par synthèse chimique en phase vapeur sur la surface principale du substrat de germe. La surface principale a reçu une implantation d'ions dans des conditions de synthèse dans lesquelles : le rapport NC/NH, où NC est le nombre de molécules en phase vapeur contenant du carbone et NH est le nombre de molécules d'hydrogène, est 10-40 % inclus ; le rapport NN/NC, où NN est le nombre de molécules d'azote et NC est le nombre de molécules contenant du carbone, est 0,1-10 % inclus ; et la température du substrat de germe (T) est 850°C ou plus mais inférieure à 1 000°C.
(JA) 本発明に係るダイヤモンド単結晶は化学気相合成法により合成したダイヤモンド単結晶であって、波長が350nmの光の吸収係数が25cm-1以上80cm-1以下である。また、本発明に係るダイヤモンド単結晶の製造方法は、{100}面からのオフ角が7°以内である面を主面とするダイヤモンド単結晶種基板の主面に炭素以外のイオンを注入して波長が800nmの光の透過率を低下させる工程と、前記種基板のイオン注入した主面上に化学気相合成法で、気相中の炭素を含有する分子の分子数Nと水素分子数Nとの比N/Nが10%以上40%以下であり、且つ窒素分子数Nと炭素を含有する分子の分子数Nとの比N/Nが0.1%以上10%以下であり、且つ種基板温度Tが850℃以上1000℃未満の合成条件でダイヤモンド単結晶をホモエピタキシャル成長させる工程と、を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)