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1. (WO2014003086) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/003086    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/067590
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 20.06.2013
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
SASAKI, Toshinari; .
HAMOCHI, Takashi; .
MIYAMOTO, Toshiyuki; .
NOMURA, Masafumi; .
KOEZUKA, Junichi; .
OKAZAKI, Kenichi;
Données relatives à la priorité :
2012-147783 29.06.2012 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)To provide a semiconductor device including an oxide semiconductor in which a change in electrical characteristics is suppressed or whose reliability is improved. In a semiconductor device including an oxide semiconductor film in which a channel formation region is formed, an insulating film which suppresses entry of water and contains at least nitrogen and an insulating film which suppresses entry of nitrogen released form the insulating film are provided over the oxide semiconductor film. As water entering the oxide semiconductor film, water contained in the air, water in a film provided over the insulating film which suppresses entry of water, or the like can be given. Further, as the insulating film which suppresses entry of water, a nitride insulating film can be used, and the amount of hydrogen molecules released by heating from the nitride insulating film is smaller than 5.0 x1021 molecules/cm3.
(FR)L'objet de la présente invention est de fournir un dispositif à semi-conducteur qui inclut un semi-conducteur à oxyde permettant de supprimer toute modification des caractéristiques électriques ou permettant d'améliorer la fiabilité de celui-ci. Pour ce faire, la présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur qui inclut un film semi-conducteur à oxyde dans lequel est formée une région de formation de canal, un film isolant qui empêche l'entrée de l'eau et qui contient au moins de l'azote et un film isolant qui empêche l'entrée de l'azote libéré à partir du film isolant, lesquels films sont prévus au-dessus du film semi-conducteur à oxyde. En tant qu'eau entrant dans le film semi-conducteur à oxyde, il est possible de citer l'eau contenue dans l'air, l'eau présente dans un film qui est prévu au-dessus du film isolant qui empêche l'entrée de l'eau ou similaire. D'autre part, un film isolant de nitrure peut être utilisé en tant que film isolant qui empêche l'entrée de l'eau, et la quantité de molécules d'hydrogène libérées par chauffage à partir du film isolant de nitrure est inférieure à 5,0 x 1021 molécules/cm3.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)