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1. (WO2014003058) STRUCTURE D'ÉLECTRODE POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE, ET TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/003058    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/067518
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 26.06.2013
CIB :
H01L 21/338 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
Inventeurs : FUJITA, Koichiro;
Mandataire : SAMEJIMA, Mutsumi; AOYAMA & PARTNERS, Umeda Hankyu Bldg. Office Tower, 8-1, Kakuda-cho, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300017 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-147135 29.06.2012 JP
2013-127606 18.06.2013 JP
Titre (EN) ELECTRODE STRUCTURE FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) STRUCTURE D'ÉLECTRODE POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE, ET TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体装置の電極構造および窒化物半導体電界効果トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)According to this electrode structure, a source electrode (111) and a drain electrode (112) are formed between an insulating film (107) and the opening edges (116A, 119A) of trench portions (116, 119) of a layered nitride semiconductor (105), and extend across the surface (107C) of the insulating film (107) from the trench portions (116, 119) so as to contact the surface of the layered nitride semiconductor (105). According to this structure for the ohmic electrodes (111, 112), the maximum electrical field strength at ON times, of the source electrode (111) and the drain electrode (112) at the ends thereof adjacent to the layered nitride semiconductor (105) can be reduced, and the ON withstand voltage improved, as compared with a conventional electrode structure in which the end edge portions of the ohmic electrodes are sandwiched between the layered nitride semiconductor and the insulating layer.
(FR)Dans la structure d'électrode de l'invention, une électrode source (111) et une électrode drain (112) sont formées entre un film isolant (107) et les bords d'une ouverture (116A, 119A) de parties retrait (116, 119) d'un corps stratifié de semi-conducteurs au nitrure (105), depuis les parties retrait (116, 119) jusqu'à la surface (107C) du film isolant (107) de manière à être en contact avec la surface du corps stratifié de semi-conducteurs au nitrure (105). Avec une telle structure d'électrodes ohmiques (111, 112), il est possible d'abaisser le champ électrique maximum en mode marche aux bornes de l'électrode source (111) et de l'électrode drain (112) adjacentes au corps stratifié de semi-conducteurs au nitrure (105), et d'améliorer ainsi la tension de tenue en marche, par rapport aux structures d'électrode de l'art antérieur dans lesquelles une partie bord extrémité d'électrodes ohmiques est enserrée entre un corps stratifié de semi-conducteurs au nitrure et un film isolant.
(JA) この電極構造によれば、ソース電極(111),ドレイン電極(112)が絶縁膜(107)と窒化物半導体積層体(105)の凹部(116,119)の開口縁(116A,119A)との間で窒化物半導体積層体(105)の表面に接するように凹部(116,119)から絶縁膜(107)の表面(107C)に亘って形成されている。このようなオーミック電極(111,112)の構造によれば、オーミック電極の端縁部が窒化物半導体積層体と絶縁膜との間に挟まれた従来の電極構造に比べて、窒化物半導体積層体(105)に隣接するソース電極(111),ドレイン電極(112)の端でのオン時の最大電界強度を低減でき、オン耐圧を向上させることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)