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1. (WO2014003047) STRUCTURE D'ÉLECTRODE POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR NITRURE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION À CET EFFET, ET TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP INTÉGRANT UN SEMI-CONDUCTEUR NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/003047    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/067483
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 26.06.2013
CIB :
H01L 21/338 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
Inventeurs : KURITA, Daisuke;
Mandataire : SAMEJIMA, Mutsumi; AOYAMA & PARTNERS, Umeda Hankyu Bldg. Office Tower, 8-1, Kakuda-cho, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300017 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-147116 29.06.2012 JP
2013-127605 18.06.2013 JP
Titre (EN) ELECTRODE STRUCTURE FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
(FR) STRUCTURE D'ÉLECTRODE POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR NITRURE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION À CET EFFET, ET TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP INTÉGRANT UN SEMI-CONDUCTEUR NITRURE
(JA) 窒化物半導体装置の電極構造およびその製造方法並びに窒化物半導体電界効果トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an electrode structure for a nitride semiconductor device in which ohmic electrodes (111, 112) are formed from concave sections (116, 119) in a nitride semiconductor layered body (105) to the surface (107C) of an insulating film (107) without coming into contact with the surface (104A) of an AlGaN barrier layer (104). The insulating film (107) covers the surface (104A) of the AlGaN barrier layer (104). As a result, it is possible to protect the surface (104A) of the AlGaN barrier layer (104) by means of the insulating film (107) when forming the ohmic electrodes (111, 112) through dry etching.
(FR)L'invention concerne une structure d'électrode destinée à un dispositif à semi-conducteur nitrure dans lequel des électrodes ohmiques (111, 112) sont réalisées, depuis les segments concaves (116, 119) situés dans un corps revêtu de semi-conducteur nitrure (105) jusqu'à la surface (107C) d'un film isolant (107), sans entrer en contact avec la surface (104A) d'une couche barrière en AlGaN (104). Le film isolant (107) recouvre la surface (104) de la couche barrière en AlGaN (104). L'invention permet ainsi de protéger la surface (104) de la couche barrière en AlGaN (104) au moyen du film isolant (107) lors de la formation des électrodes ohmiques (111, 112) par gravure à sec.
(JA) この窒化物半導体装置の電極構造によれば、オーミック電極(111,112)は窒化物半導体積層体(105)の凹部(116,119)からAlGaNバリア層(104)の表面(104A)に接さずに絶縁膜(107)の表面(107C)に亘って形成されており、絶縁膜(107)がAlGaNバリア層(104)の表面(104A)を覆っている。したがって、オーミック電極(111,112)を、ドライエッチングによって形成する際に絶縁膜(107)でAlGaNバリア層(104)の表面(104A)を保護できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)