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1. (WO2014002965) PROCÉDÉ DE GRAVURE ET APPAREIL DE GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/002965    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/067288
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 24.06.2013
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : KUBOTA, Kazuhiro; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadashige; 16th Floor, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Seimei Building), 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-141660 25.06.2012 JP
61/667,527 03.07.2012 US
Titre (EN) ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE ET APPAREIL DE GRAVURE
(JA) エッチング方法及びエッチング装置
Abrégé : front page image
(EN)An etching method characterized by comprising: a step for feeding an etching gas which contains a carbon fluoride (CF)-based gas into a treatment vessel, and forming a plasma from the etching gas; and a step for subjecting a silicon oxide film in which the silicon content per unit volume, the fluorine content per unit volume and/or the volume density changes in the depthwise direction to etching via a polysilicon mask which has a prescribed pattern and which is laminated on the silicon oxide film.
(FR)L'invention se rapporte à un procédé de gravure qui est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : l'alimentation d'une cuve de traitement en gaz de gravure contenant un gaz à base de fluorure de carbone (CF), et la formation d'un plasma à partir du gaz de gravure; et la gravure d'un film d'oxyde de silicium dont la teneur en silicium par unité de volume, la teneur en fluor par unité de volume et/ou la densité volumique changent dans le sens de la profondeur, cette gravure étant réalisée par le biais d'un masque en polysilicium qui présente un motif imposé et qui est stratifié sur ledit film d'oxyde de silicium.
(JA) 処理容器内にフッ化炭素(CF)系ガスを含むエッチングガスを供給し、前記エッチングガスからプラズマを生成するステップと、前記プラズマにより、シリコン酸化膜に積層された所定パターンのポリシリコンのマスクを介して、単位体積当たりのシリコン含有率、単位体積当たりのフッ素含有率及び体積密度の少なくともいずれかが深さ方向に変化する前記シリコン酸化膜をエッチングするステップと、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)