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1. (WO2014002828) CONDENSATEUR ÉLECTROLYTIQUE SOLIDE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/002828    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/066722
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 18.06.2013
CIB :
H01G 9/032 (2006.01), H01G 9/07 (2006.01)
Déposants : PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventeurs : KOSUGE Keiko; (JP)
Mandataire : FUJII, Kentaro; c/o Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-143119 26.06.2012 JP
Titre (EN) SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CONDENSATEUR ÉLECTROLYTIQUE SOLIDE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A solid electrolytic capacitor (1) is provided with a positive electrode (10), a dielectric layer (14), a silane coupling layer (15), a conductive polymer layer (16) and a negative electrode layer (17). The dielectric layer (14) is provided on the positive electrode (10). The silane coupling layer (15) is provided on the dielectric layer (14). The conductive polymer layer (16) is provided on the silane coupling layer (15). The negative electrode layer (17) is provided on the conductive polymer layer (16). The silane coupling layer (15) comprises a first silane coupling layer (15a) and a second silane coupling layer (15b). The first silane coupling layer (15a) covers a part of the conductive polymer layer (16)-side surface of the dielectric layer (14). The second silane coupling layer (15b) covers at least a part of a portion of the conductive polymer layer (16)-side surface of the dielectric layer (14), said portion being exposed from the first silane coupling layer (15a).
(FR)L'invention concerne un condensateur électrolytique solide (1) qui comprend une électrode positive (10), une couche diélectrique (14), une couche de couplage de silane (15), une couche de polymère conducteur (16) et une couche d'électrode négative (17). La couche diélectrique (14) est disposée sur l'électrode positive (10). La couche de couplage de silane (15) est disposée sur la couche diélectrique (14). La couche de polymère conducteur (16) est disposée sur la couche de couplage de silane (15). La couche d'électrode négative (17) est disposée sur la couche de polymère conducteur (16). La couche de couplage de silane (15) comprend une première couche de couplage de silane (15a) et une seconde couche de couplage de silane (15b). La première couche de couplage de silane (15a) recouvre une partie de la surface côté couche de polymère conducteur (16) de la couche diélectrique (14). La seconde couche de couplage de silane (15b) recouvre au moins une partie d'une portion de la surface côté couche de polymère conducteur (16) de la couche diélectrique (14), ladite portion étant exposée à partir de la première couche de couplage de silane (15a).
(JA)固体電解コンデンサ1は、陽極10と、誘電体層14と、シランカップリング層15と、導電性高分子層16と、陰極層17とを備える。誘電体層14は、陽極10の上に設けられている。シランカップリング層15は、誘電体層14の上に設けられている。導電性高分子層16は、シランカップリング層15の上に設けられている。陰極層17は、導電性高分子層16の上に設けられている。シランカップリング層15は、第1のシランカップリング層15aと、第2のシランカップリング層15bとを有する。第1のシランカップリング層15aは、誘電体層14の導電性高分子層16側の表面の一部を覆う。第2のシランカップリング層15bは、誘電体層14の導電性高分子層16側の表面において、第1のシランカップリング層15aから露出する部分の少なくとも一部を覆う。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)