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1. (WO2014002796) APPAREIL DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN APPAREIL DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/002796    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/066473
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 14.06.2013
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP)
Inventeurs : NISHIURA, Ken; (JP).
KAMADA, Rui; (JP).
ASAO, Hideaki; (JP).
UMESATO, Kazumasa; (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-141909 25.06.2012 JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION APPARATUS
(FR) APPAREIL DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN APPAREIL DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置および光電変換装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to improve photoelectric conversion efficiency of a photoelectric conversion apparatus. A photoelectric conversion apparatus (11) is provided with a semiconductor layer (3) on an electrode layer (2), said semiconductor layer containing a group 11 element, indium element, gallium element, sulfur element, and selenium element. In the surface portion (3a) of the semiconductor layer (3), said surface portion being on the reverse side of the electrode layer (2), the relative number of atoms of the gallium element, and the relative number of atoms of the sulfur element with respect to the total number of atoms of the indium element and the gallium element increase toward the side away from the electrode layer (2).
(FR)La présente invention a pour objet d'améliorer l'efficacité de conversion photoélectrique d'un appareil de conversion photoélectrique. Un appareil de conversion photoélectrique (11) comprend : une couche semi-conductrice (3) agencée sur une couche d'électrode (2), ladite couche semi-conductrice contenant un élément du groupe 11, un élément indium, un élément gallium, un élément soufre et un élément sélénium. Dans la partie superficielle (3a) de la couche semi-conductrice (3), ladite partie superficielle se trouvant sur le côté opposé de la couche d'électrode (2), le nombre relatif d'atomes de l'élément gallium et le nombre relatif d'atomes de l'élément soufre par rapport au nombre total d'atomes de l'élément indium et de l'élément gallium augmentent vers le côté qui se trouve loin de la couche d'électrode (2).
(JA) 本発明は、光電変換装置における光電変換効率の向上を目的とする。 光電変換装置11は、電極層2上に、11族元素、インジウム元素、ガリウム元素、硫黄元素およびセレン元素を含む半導体層3を具備しており、半導体層3は、電極層2とは反対側の表面部3aにおいて、インジウム元素とガリウム元素との合計原子数に対するガリウム元素の相対原子数比および硫黄元素の相対原子数比が、電極層2から離れるに従って増加している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)