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1. (WO2014002679) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À UN RAYONNEMENT OU SENSIBLE AUX RAYONS ACTINIQUES, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/002679    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/065110
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 30.05.2013
CIB :
G03F 7/32 (2006.01), C08F 20/36 (2006.01), C08F 20/38 (2006.01), G03F 7/004 (2006.01), G03F 7/038 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : TAKAHASHI Hidenori; (JP)
Mandataire : TAKAMATSU Takeshi; Koh-Ei Patent Firm, Toranomon East Bldg. 9F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-146001 28.06.2012 JP
Titre (EN) PATTERN FORMATION METHOD, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À UN RAYONNEMENT OU SENSIBLE AUX RAYONS ACTINIQUES, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
Abrégé : front page image
(EN)A pattern formation method having excellent uniformity of exposure latitude and local pattern dimensions, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition used thereby, a resist film, a method for manufacturing an electronic device, and an electronic device are provided. A pattern formation method comprising: (1) a step for forming a film using an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing a repeating unit (a) having cyclical structure and a partial structure represented by the general formulas (I), (II-1), or (II-2) below, and a resin (P) that dissolves under the effect of acid and that has a repeating unit (b) having a group that produces a polar group, as well as a compound (B) for generating acid by irradiation of actinic rays or radiation; (2) a step for exposing the film; (3) and a step for developing the film using a developer fluid containing an organic solvent to form a negative pattern, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition used thereby, a resist film, a method for manufacturing an electronic device, and an electronic device. (In formulas (I), (II-1), and (II-2), A1 and A2 each independently represent -CO- or -SO2-. R1 and R2 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. R1 and R2 may bond to each other to form a ring. R3 represents a hydrogen atom or an alkyl group. The asterisk (*) represents an atomic bond. The two atomic bonds in the partial structure in formula (II-1) above directly or indirectly bond to a ring of the cyclical structure, and two or more of the three atomic bonds in the partial structure in formula (II-2) above directly or indirectly bond to a ring of the cyclical structure.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de formation de motif ayant une excellente uniformité de latitude d'exposition et de dimensions de motif local, une composition de résine sensible à un rayonnement ou sensible aux rayons actiniques utilisée par celui-ci, un film de réserve, un procédé de fabrication de dispositif électronique et un dispositif électronique. La présente invention porte également sur un procédé de formation de motif comprenant : (1) une étape de formation d'un film à l'aide d'une composition de résine sensible à un rayonnement ou sensible aux rayons actiniques contenant une unité structurale (a) ayant une structure cyclique et une structure partielle représentées par les formules générales (I), (II-1) ou (II-2) ci-dessous, et une résine (P) qui se dissout sous l'effet d'un acide et qui a une unité structurale (b) ayant un groupe qui produit un groupe polaire, ainsi qu'un composé (B) de génération d'acide par irradiation de rayons actiniques ou d'un rayonnement; (2) une étape d'exposition du film; (3) et une étape de développement du film à l'aide d'un fluide de développeur contenant un solvant organique pour former un motif négatif, une composition de résine sensible à un rayonnement ou sensible aux rayons actiniques utilisée par celle-ci, un film de réserve, un procédé de fabrication de dispositif électronique et un dispositif électronique. (Dans les formules (I), (II-1) ou (II-2), A1 et A2 représentent chacun indépendamment -CO- ou -SO2-. R1 et R2 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle. R1 et R2 peuvent se lier l'un à l'autre pour former un cycle. R3 représente un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle. L'astérisque (*) représente une liaison atomique. Les deux liaisons atomiques dans la structure partielle dans la formule (II-1) ci-dessus se lient directement ou indirectement à un cycle de la structure cyclique, et au moins deux des trois liaisons atomiques dans la structure partielle dans la formule (II-2) ci-dessus se lient directement ou indirectement à un cycle de la structure cyclique.
(JA) 露光ラチチュード、及び、局所的なパターン寸法の均一性に優れるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスを提供する。 (ア)環状構造と下記一般式(I)、(II-1)又は(II-2)で表される部分構造とを有する繰り返し単位(a)、及び、酸の作用により分解し、極性基を生じる基を有する繰り返し単位(b)を有する樹脂(P)、並びに、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、及び(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス。式中、A及びAは、各々独立に、-CO-又は-SO-を表す。 R及びRは、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。RとRとが互いに結合して環を形成してもよい。 Rは、水素原子、又は、アルキル基を表す。 *は、結合手を表す。ただし、上記一般式(II-1)における部分構造の2つの結合手は、前記環状構造の環に直接又は間接的に結合し、上記一般式(II-2)における部分構造の3つの結合手の内の2つ以上は、前記環状構造の環に直接又は間接的に結合する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)