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1. (WO2014002637) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/002637    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/063708
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 16.05.2013
CIB :
H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventeurs : HATSUKAWA Satoshi; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-145086 28.06.2012 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a semiconductor device wherein a current can be uniformly flowed by means of a plurality of semiconductor chips, and a method for manufacturing the semiconductor device. A semiconductor device (1) of one embodiment of the present invention is provided with: a plurality of first semiconductor chips (101-10N); and a circuit board (30), which has the first semiconductor chips mounted thereon, and which has first and second wiring conductor sections (32A, 32B) electrically connected to the first semiconductor chips. The first semiconductor chips are connected in parallel such that a first parallel circuit (60) is configured with the first and second wiring conductor sections. On the circuit board, the first semiconductor chips are disposed corresponding to on-resistance of the first semiconductor chips such that a uniform current is flowed in the first semiconductor chips.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif semi-conducteur dans lequel peut circuler de manière uniforme un courant au moyen d'une pluralité de puces semi-conductrices, et à un procédé permettant de fabriquer le dispositif semi-conducteur. Un dispositif semi-conducteur (1) d'un mode de réalisation de la présente invention comprend : une pluralité de premières puces semi-conductrices (101-10N) ; et une carte de circuit imprimé (30) sur laquelle sont montées les premières puces semi-conductrices et qui présente des première et seconde sections de conducteur de câblage (32A, 32B) qui sont raccordées électriquement aux premières puces semi-conductrices. Les premières puces semi-conductrices sont raccordées en parallèle de telle sorte qu'un premier circuit parallèle (60) soit configuré avec les première et seconde sections de conducteur de câblage. Sur la carte de circuit imprimé, les premières puces semi-conductrices sont disposées de manière à correspondre à la résistance à l'état passant des premières puces semi-conductrices de telle sorte qu'un courant uniforme circule dans les premières puces semi-conductrices.
(JA)複数の半導体チップにより均一に電流を流し得る半導体装置、及び、その製造方法を提供する。一実施形態に係る半導体装置(1)は、複数の第1の半導体チップ(10~10)と、複数の第1の半導体チップが搭載される回路基板(30)であって、複数の第1の半導体チップと電気的に接続される第1及び第2の配線導体(32A,32B)を有する、回路基板と、を備える。複数の第1の半導体チップは、第1及び第2の配線導体と共に、第1の並列回路(60)を構成するように、並列接続されている。複数の第1の半導体チップに均一な電流が流れるように、複数の第1の半導体チップのオン抵抗に応じて、複数の第1の半導体チップは回路基板上に配置されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)