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1. (WO2014002586) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/002586    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/061372
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 17.04.2013
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : KATAYAMA Daisuke; (JP).
HONDA Minoru; (JP).
NAKANISHI Toshio; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-144368 27.06.2012 JP
Titre (EN) PLASMA PROCESSING METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Abrégé : front page image
(EN)A plasma processing method of one embodiment of the present invention includes: (a) a step wherein a polycrystalline silicon layer is grown on a base body to be processed; and (b) a step wherein a processing gas that contains a hydrogen-containing gas is supplied to the inside of a processing container, in which the base body having the polycrystalline silicon layer grown thereon is contained, hydrogen radical is generated by irradiating microwaves to the inside of the processing container, and the polycrystalline silicon layer is exposed to the hydrogen radical.
(FR)Un procédé de traitement par plasma selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : (a) une étape dans laquelle une couche de silicium polycristallin est mise en croissance sur un corps de base à traiter ; et (b) une étape dans laquelle un gaz de traitement qui contient un gaz contenant de l'hydrogène est distribué à l'intérieur d'un contenant de traitement, dans lequel le corps de base ayant la couche de silicium polycristallin mise en croissance sur celui-ci est contenu, des radicaux d'hydrogène sont générés par rayonnement de micro-ondes vers l'intérieur du contenant de traitement, et la couche de silicium polycristallin est exposée aux radicaux hydrogène.
(JA)一実施形態のプラズマ処理方法は、(a)被処理基体上に多結晶シリコン層を成長する工程と、(b)多結晶シリコン層が成長した被処理基体を収容した処理容器内に水素を含有するガスを含む処理ガスを供給し、処理容器内にマイクロ波を放射することにより水素ラジカルを生成して、水素ラジカルに多結晶シリコン層を曝す工程と、を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)