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1. (WO2014002448) SUBSTRAT DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE ÉQUIPÉ DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/002448    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/003868
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 20.06.2013
CIB :
G09F 9/30 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
Inventeurs : WATANABE, Kibou;
Mandataire : MAEDA & PARTNERS; Osaka-Marubeni Bldg.5F, 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-145677 28.06.2012 JP
Titre (EN) DISPLAY DEVICE SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE EQUIPPED WITH SAME
(FR) SUBSTRAT DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE ÉQUIPÉ DE CELUI-CI
(JA) 表示装置用基板及びそれを備えた表示装置
Abrégé : front page image
(EN)This thin film transistor (TFT) substrate is provided with: a drain electrode (8) that is formed on an insulating film (10), and comprises copper; an interlayer insulating film (23) formed on the drain electrode (8); and a pixel electrode (14) that is formed in the contact hole (15), which is formed in the insulating film (10) and the interlayer insulating film (23), and on the interlayer insulating film (23), and is electrically connected to the drain electrode (8) via the contact hole (15). In a plan view of the contact hole (15), the drain electrode (8) is formed inside part of the contact hole in such a manner that part of the drain electrode (8) and part of the outer periphery of the contact hole are overlapping, and part of the pixel electrode (14) and the drain electrode (8) are electrically connected.
(FR)L'invention concerne un substrat de transistor en couche mince (TFT) qui comprend : une électrode de drain (8) qui est formée sur un film isolant (10), et qui comprend du cuivre ; un film isolant intercouche (23) formé sur l'électrode de drain (8) ; et une électrode de pixel (14) qui est formée dans le trou de contact (15), qui est formé dans le film isolant (10) et dans le film isolant intercouche (23), et sur le film isolant intercouche (23), et est électriquement connectée à l'électrode de drain (8) par l'intermédiaire du trou de contact (15). Dans une vue du plan du trou de contact (15), l'électrode de drain (8) est formée dans une partie du trou de contact de telle sorte qu'une partie de l'électrode de drain et une partie de la périphérie externe du trou de contact se superposent, et qu'une partie de l'électrode de pixel (14) et de l'électrode de drain (8) soient connectées électriquement.
(JA) TFT基板は、絶縁膜(10)上に形成され、銅からなるドレイン電極(8)と、ドレイン電極(8)上に形成された層間絶縁膜(23)と、絶縁膜(10)及び層間絶縁膜(23)に形成されたコンタクトホール(15)と層間絶縁膜(23)上に形成され、コンタクトホール(15)を介して、ドレイン電極(8)と電気的に接続された画素電極(14)とを備える。コンタクトホール(15)において、平面視で、コンタクトホール内の一部にドレイン電極(8)が、ドレイン電極(8)の一部とコンタクトホール外周の一部とが重なるように形成され、画素電極(14)の一部とドレイン電極(8)とが電気的に接続されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)