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1. (WO2014002390) APPAREIL DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/002390    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/003489
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 03.06.2013
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventeurs : MORIYAMA, Yoshiya; .
FUJIMOTO, Hiromasa; .
SAEKI, Kosaku; .
TAKAHASHI, Nobuyoshi;
Mandataire : NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-145946 28.06.2012 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) APPAREIL DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 固体撮像装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This solid-state image pickup apparatus is provided with a semiconductor substrate (201), a pixel section (250) formed on the semiconductor substrate (201), and a peripheral circuit section (260) formed on the semiconductor substrate (201), said peripheral circuit section being at the periphery of the pixel section (250). The pixel section (250) is provided with a photoelectric conversion film (217), which generates charges by photoelectrically converting inputted light, and an n-type diffusion layer (205) for holding the charges. The peripheral circuit section (260) is provided with an NchMOS transistor (225) that is provided with a gate electrode (204D) and two n-type source and drain diffusion layers (236), and the impurity concentration of the two n-type source and drain diffusion layers (236) is higher than that of the n-type diffusion layer (205).
(FR)Le présent appareil de capture d'image à semi-conducteurs comporte un substrat semi-conducteur (201), une section de pixels (250) formée sur le substrat semi-conducteur (201), et une section de circuit périphérique (260) formée sur le substrat semi-conducteur (201), ladite section de circuit périphérique étant à la périphérie de la section de pixels (250). La section de pixels (250) comporte une pellicule de conversion photoélectrique (217), laquelle génère des charges en convertissant photoélectriquement la lumière entrante, et une couche de diffusion de type n (205) permettant de maintenir les charges. La section de circuit périphérique (260) comporte un transistor NchMOS (225) qui comporte une électrode de grille (204D) et deux couches de diffusion de source et de drain de type n (236), et la concentration d'impuretés des deux couches de diffusion de source et de drain de type n (236) est supérieure à celle de la couche de diffusion de type n (205).
(JA) 固体撮像装置は、半導体基板(201)と、半導体基板(201)に形成された画素部(250)と、半導体基板(201)の画素部(250)の周辺に形成された周辺回路部(260)とを備え、画素部(250)は、入射光を光電変換することで電荷を生成する光電変換膜(217)と、前記電荷を保持するためのn型拡散層(205)とを備え、周辺回路部(260)は、ゲート電極(204D)と2つのn型ソース・ドレイン拡散層(236)とを備えるNchMOSトランジスタ(225)を備え、2つのn型ソース・ドレイン拡散層(236)の不純物濃度は、n型拡散層(205)の不純物濃度よりも高い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)