WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014002353) SYSTÈME DE DÉTECTION D'IMAGES À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT SYSTÈME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/002353    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/002700
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 22.04.2013
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventeurs : SUZUKI, Jun;
Mandataire : MAEDA & PARTNERS; Osaka-Marubeni Bldg.5F, 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-143970 27.06.2012 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGE SENSING DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) SYSTÈME DE DÉTECTION D'IMAGES À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT SYSTÈME
(JA) 固体撮像素子及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This solid-state image sensing device is provided with: a substrate (101) in which an impurity region (102) has been formed; an insulating film (103) formed over the substrate (101); and a contact electrode (104) that passes through the insulating film (103) and joins the impurity region (102). The contact electrode (104) has an electrode lower portion (110) buried within the insulating film (103), and an electrode upper portion (114) protruding up from the surface of the insulating film (103), and a silicide (105) which comprises polysilicon containing boron, the maximum grain size of the polysilicon constituting the contact electrode (104) being from 2 nm to 30 nm, inclusive, is formed on at least the surface portion of the electrode upper portion (114).
(FR)L'invention concerne un dispositif de détection d'image à semi-conducteur comprenant : un substrat (101) dans lequel a été formée une zone d'impureté (102); un film isolant (103) formé sur le substrat (101); et une électrode de contact (104) qui traverse le film isolant (103) et rejoint la zone d'impureté (102). L'électrode de contact (104) présente une partie inférieure d'électrode (110) noyée dans le film isolant (103) et une partie supérieure d'électrode (114) dépassant de la surface du film isolant (103). Un siliciure (105) comprenant du polysilicium contenant du bore, la granulométrie maximum du polysilicium constituant l'électrode de contact (104) étant comprise entre 2 nm et 30 nm inclus, est formé au moins sur la partie de surface de la partie supérieure d'électrode (114).
(JA)固体撮像素子は、不純物領域102が形成された基板101と、基板101上に形成された絶縁膜103と、絶縁膜103を貫通し、不純物領域102と接合するコンタクト電極104とを備える。コンタクト電極104は、絶縁膜103内に埋め込まれた電極下部110と、絶縁膜103の上面から突き出た電極上部114とを有するとともに、ボロンを含むポリシリコンからなり、コンタクト電極104を構成するポリシリコンのグレインサイズの最大値は2nm以上且つ30nm以下であり、電極上部114の少なくとも表面部にはシリサイド105が形成される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)