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1. (WO2014002339) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/002339    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/002053
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 26.03.2013
CIB :
H01S 5/028 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventeurs : YOSHIDA, Shinji; .
MOCHIDA, Atsunori;
Mandataire : MAEDA & PARTNERS; Osaka-Marubeni Bldg.5F, 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-146326 29.06.2012 JP
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体発光素子
Abrégé : front page image
(EN)A nitride semiconductor light-emitting element is provided with: a semiconductor layered body (50) which comprises a group III nitride semiconductor, and which has a light-emission end surface; and a multilayer protective film (30) which is formed so as to cover the light-emission end surface in the semiconductor layered body (50), and which has a plurality of insulating films. The multilayer protective film (30) has a first protective film (31), and a second protective film (32) which covers the first protective film (31). The first protective film (31) is a crystalline film which comprises an aluminium-containing nitride, and which includes a crystallization region in at least a portion thereof. The second protective film (32) is a crystalline film which comprises an aluminium-containing oxide, and which includes a crystallization region in at least a portion thereof.
(FR)L'invention concerne un élément électroluminescent semi-conducteur au nitrure qui comprend : un corps stratifié de semi-conducteur (50) qui comprend un semi-conducteur au nitrure de groupe III, et qui possède une surface d'extrémité d'émission de lumière; et un film protecteur multicouche (30) qui est formé de façon à recouvrir la surface d'extrémité d'émission de lumière dans le corps stratifié de semi-conducteur (50), et qui possède une pluralité de films isolants. Le film protecteur multicouche (30) possède un premier film protecteur (31) et un second film protecteur (32) qui recouvre le premier film protecteur (31). Le premier film protecteur (31) est un film cristallin qui comprend un nitrure contenant de l'aluminium, et qui comprend une région de cristallisation dans au moins une partie de celui-ci. Le second film protecteur (32) est un film cristallin qui comprend un oxyde contenant de l'aluminium, et qui comprend une région de cristallisation dans au moins une partie de celui-ci.
(JA) 窒化物半導体発光素子は、III族窒化物半導体からなり、発光端面を有する半導体積層体(50)と、半導体積層体(50)における発光端面を覆うように形成され、複数の絶縁性膜を有する多層保護膜(30)とを備えている。多層保護膜(30)は、第1の保護膜(31)と該第1の保護膜(31)を被覆する第2の保護膜(32)とを有している。第1の保護膜(31)は、アルミニウムを含む窒化物からなり、少なくともその一部に結晶化領域を含む結晶性膜である。第2の保護膜(32)は、アルミニウムを含む酸化物からなり、少なくともその一部に結晶化領域を含む結晶性膜である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)